氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

第十章齿轮传动 一、轮齿的失效形式 二、齿轮材料及热处理 三、齿轮传动 四、齿轮传动的精度 五、直齿圆柱齿轮传动的作用力及计算载荷 六、直齿圆柱齿轮传动的齿面接触强度计算

第13章齿轮传动 13-1轮齿传动的失效形式及设计准则 13-2齿轮材料及热处理 13-3齿轮传动的精度 13-4直齿圆柱齿轮传动的作用力及计算载荷 13-5直齿圆柱齿轮传动的强度计算 13-6斜齿圆柱齿轮传动的强度计算 13-7齿轮的结构、齿轮传动的润滑和效率

齿轮传动 1概述 2齿廓啮合基本定律 3渐开线及渐开线齿轮 4渐开线标准齿轮各部分名称和几何尺寸 5渐开线直齿圆柱齿轮传动 6渐开线齿廓的切制原理、根切和最少齿数 7斜齿圆柱齿轮传动 8齿轮的材料及热处理 9轮齿的失效形式及计算准则 10圆柱齿轮传动的强度计算 11圆锥齿轮传动 12蜗杆传 13轮系

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

§11—1 齿轮的失效形式 §11—2 齿轮材料及热处理 §11—3 齿轮传动精度 §11—4 直齿圆柱齿轮传动的作用力及计算载荷 §11—9 齿轮的构造 §11—10 齿轮传动的润滑和效率 §11—6 直齿圆柱齿轮传动的轮齿弯曲强度计算 §11—5 直齿圆柱齿轮传动的齿面接触强度计算

研究了6种预先热处理工艺及有效钛含量对18CrMmVB钢奥氏体晶粒长大行为的影响。同时通过与18CrMnB钢比较,分析了Ti和V细化18CrMnVB钢奥氏体晶粒的综合作用机制

一、晶体与非晶体 1、晶体 内部质点按一定的几何规律呈周期性规则排列的物质称为 晶体。 有固定的熔点(如铁为1538℃,铜为183℃,铝为660℃); 一般具有规则的外形;在不同的方向上具有不同的性能, 即表现出晶体的各向异性

合金的结晶过程遵循结晶的基本规律,由于合金成分中 包含有两个以上的组元,结晶过程中,不同温度范围内 存有不同数量的相,且各相成分有时也可变化,必须引 入合金相图这一工具来进行描述

fe-合金基本相:铁素体(F)(固溶体)、奥氏体(A)(固溶体)、渗碳体(e3C)(金属化合物) 一、铁素体(F): 碳溶于a-Fe中的间隙固溶体,溶碳能力极差。 727℃可达0.0218%b:250~350MPa6:30~50%:7080% 2:100~170MPaa:160~200J/cm2bs:80~120