以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值

以提取得到的小球藻(USTB-01)油脂为原料,采用离子液体酸([C4MIm]HSO4)为催化剂,研究了通过酯交换反应制备生物柴油的适宜条件,并采用气相色谱-质谱联用仪(GC-MS)对小球藻油脂及所制备的生物柴油的脂肪酸组成进行了分析测定.结果表明,研磨破碎藻细胞壁能显著提高索氏法提取藻脂的提取率,石油醚是最适宜的提取溶剂.提取得到的小球藻脂富含C16和C18脂肪酸.藻脂转化生物柴油的适宜条件是:醇油摩尔比为9∶1,催化剂用量占藻脂质量的8%,反应时间为6 h,反应温度为150℃.在此条件下,生物柴油的产率为64%.气质联用仪(GC-MS)分析表明该生物柴油主要成分为棕榈酸(C16:0)甲酯和不饱和的亚油酸(C18:2)甲酯,是可行的石化柴油替代品

第十六章功能高分子材料 一、功能高分子材料及其分类 二、功能高分子材料的应用 三、功能高分子材料的发展概况 实验三十四高吸水性树脂的制备 实验三十五光致变色聚合物的制备

第一节 概述 第二节 固定化酶的性质及其影响因素 第三节 固定化酶的制备

采用低温水热方法,在经预先修饰的基底上制备出取向高度一致的ZnO纳米棒阵列.用SEM和XRD等手段对制备的纳米棒阵列进行了表征.ZnO纳米棒阵列水热生长动力学表明:当生长时间在8h内时,纳米棒的生长速度较快,之后纳米棒的生长近乎停止,棒的长度和直径基本不再改变.在生长速度较快的8h内时,纳米棒的径向生长由两个明显的动力学过程组成,即由生长时间在1.5h内的快速生长步骤和随后的慢速生长步骤组成;纳米棒的长度以约5.5nm·min-1的生长速度增加至2.4μm

利用纳米技术制备复相镁质耐火材料，不仅可以缓解高温工业对高性能镁质材料的需求，而且又能实现镁质耐火材料的轻质化和多功能化，进而达到提高产品附加值的目的。因此，利用纳米技术制备复相镁质耐火材料具有较高的研究意义。从镁质耐火材料损毁机制的角度，综述了近年来国内外纳米技术在低碳镁碳质、镁钙质、镁铝质耐火材料中的研究现状和进展，并且分析了纳米技术在镁质耐火材料中的作用机理，最后指出了纳米技术在镁质耐火材料中应用所面临的挑战和发展方向

采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强

1.掌握丸剂、滴丸和微丸的概念、特点、分类及制备方法 2.理解中药丸剂的概念、特点及制备方法 大体内容和时间安排、教学方法

研究采用超声协同熔盐电解法制备Al–Si–Sc和Al–Cu–Sc合金，采用光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射研究超声对合金中三元含钪强化相形貌与尺寸的影响，进而阐明超声细化机制。研究结果表明，协同超声促使三元AlSiSc相由粗大菱形管状转变为细小实心方棒状，其尺寸由205减小到40 μm左右；超声显著细化三元AlCuSc相团簇尺寸，由约100减小至约30 μm；超声协同细化机制主要是通过提高形核率细化初生Al3Sc相并促进其均匀分布，进而作为形核发育基底，最终实现三元含钪相细化；同时超声也可促进合金溶质均匀分布，避免粗大Al3Sc相析出；超声细化三元含钪相机制主要作用于电解后凝固阶段

采用一种简便、快速和低温的水热法制备了超级电容器用MnO2微纳米球和微米棒粉体颗粒,并用正交试验和单因素实验对其制备工艺进行了优化。通过X射线衍射、扫描电镜和电化学测试,研究了所得材料的晶体结构、表面形貌和超电容性能.最佳合成工艺条件为:反应温度150℃,KMnO4/MnCl2摩尔比2.5:1.0,反应时间3h,填充率40%。该工艺下所制的样品为α-MnO2,且呈现出空心、表面多孔的微纳米球和微米棒形貌.微纳米球的直径约为0.2-0.8μm,微米棒的直径约为30nm、长约为5μm.在此条件下,所得样品在100、150、200、250和300mA·g-1电流密度下,第5次的放电比电容分别为255、170、133、105和88F·g-1,其等效串联电阻和电荷转移电阻分别为0.37和0.40Ω