1-1 电路及集总电路模型 1-2 电路变量 电流、电压及功率 1-3 基尔霍夫定律 1-4 电阻元件 1-5 电压源 1-6 电流源 1-7 受控源 1-8 分压公式和分流公式 1-9 两类约束 KCL、KVL方程的独力性 1-10 支路分析

一、 教学基本要求 电路理论主要研究电路中发生的电磁现象，用电流、电压和功率等物理量来描述其中 的过程。因为电路是由电路元件构成的，因而年整个电路的表现如何既要看元件的连接方 式，又要看每个元件的特性，这就决定了电路中各电流、电压要受两种基本规律的约束， 即：

§1－1 电路和电路模型 §1－2 电路的基本物理量 §1－3 基尔霍夫定律 §1－4 电阻元件 §1－5 独立电压源和独立电流源 §1－6 两类约束和电路方程 §1－7 支路电流法和支路电压法 §1－8 电路设计，电路实验和计算机分析电路实例

§1－1 电路和电路模型 §1－2 电路的基本物理量 §1－3 基尔霍夫定律 §1－4 电阻元件 §1－5 独立电压源和独立电流源 §1－6 两类约束和电路方程 §1－7 支路电流法和支路电压法 §1－8 电路设计，电路实验和计算机分析电路实例

3.1 基本斩波电路 3.1.1 降压斩波电路 3.1.2 升压斩波电路 3.1.3 升降压斩波电路和Cuk斩波电路 3.1.4 Sepic斩波电路和Zeta斩波电路 3.2 复合斩波电路和多相多重斩波 3.2.1 电流可逆斩波电路 3.2.2 桥式可逆斩波电路 3.2.3 多相多重斩波电路

1.电容的定义 电荷在导体表面的分布必须保证满足导体的静电平衡条件。对于孤立导体,电荷在导体表面的相对分布情况由导体的几何 形状唯一确定,因而带一定电量的导体外部空间的电场分布以及导体的电势亦完全确定.根据叠加原理,当孤立导体的电量增 加若干倍时,导体的电势也将增加若干倍,即孤立导体的电势与其电量成正比: q=cV 比例系数C称为孤立导体的电容

本章介绍两种电路元件——耦合电感和理想变压器，与受控源一样，属于多端元件，但是是通过磁场进行耦合。 耦合电感：通过磁场相互约束的若干个电感的总称。 耦合电感：动态元件，是储能元件 耦合电感不同于单独的电感，有互感存在，为予以区别单个电感称为自感。 理想变压器：属于电阻元件，不储能也不耗能。 11－1 基本概念 11－2 耦合电感的VCR 耦合系数 11－3 空芯变压器电路的分析 反映阻抗 11－4 耦合电感的去耦等效电路 11－5 理想变压器的伏安关系 11－6 理想变压器的阻抗变换性质 11－7 理想变压器的实现 11－8 铁芯变压器的模型

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

电路条件发生变化：指电路接入电源、从电源断开、电路参数改变等 暂态过程：当电路条件发生变化时电路的状态就会发生变化。当电路中有电容或电感等储能元件存在时，则电路状态的转变就不是突变的，而需要经过一定短暂的时间才能达到稳态——即有一个暂态过程

1.1电路和电路模型 1.2电流和电压的参考方向 1.3电功率和能量 1.4电路元件 1.5电阻元件 1.6电压源和电流源 1.7受控电源 1.8基尔霍夫定律