3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性,本文从IC内 部封装入手,分析EM的来源、IC封装在EM控制中的作用,进而提出11个有效控制EM 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳EM抑制的性能 现有的系统级EM控制技术包括

1.1现代计算机的分类 一、发展经历(四代):电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路。 根据对计算机的使用情况,五大类 1.服务器(Server) 2.工作站(Workstation) 3.台式机(Desktop PC) 4.便携机( Mobile PC) 5.手持机(Handheld PC)

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

学习要点： 1. 学习常用电子元器件的性能、特点、主要参数、标志方法。 2. 学习常用电子元器件的基本检测方法。 主要内容： ❖ 电阻 ❖ 电容 ❖ 电感和变压器 ❖ 半导体分立器件 ❖ 集成电路 ❖ 开关件、接插件及熔断器 ❖ 电声器件 ❖ 表面安装元器件

第1章电子测量概论 第2章基本测量理论与测量数据处理 第3章电流、电压与功率测量 第4章电子元器件与集成电路测量 第5章测量用信号发生器 第6章频率与时间测量

Chapter 1 导论 Chapter 2 集成电路工艺介绍 Chapter 3 半导体基础 Chapter4 晶圆制造 Chapter 5 加热工艺 Chapter 6 光刻工艺 Chapter 7 等离子体的基础 Chapter 8 离子注入 Chapter 9 蚀刻 Chapter 11 金属化工艺

建筑的功能 安全、健康、舒适,维持高劳动生产率 住宅、影剧院、商场等。 办公楼、体育场馆等。 生产工艺要求 生物实验室、制药厂、集成电路车间等 舞台、演播室、体育赛场、手术室等。 二者兼而有之 卫各种有人员的生产场所 手术室、体育赛场、舞台等

它是20世纪80年代初,由美国国防部为其超 高速集成电路 VHS计划提出的硬件描述语言, 它支持硬件的设计、综合、验证和测试。 IEEE于1987年公布了VHDL的标准版本(IEEE STD1076/1987),1993年重新公布了新的标准 (IEEE STD1076-1993)

1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件