采用交流阻抗技术,研究钝化304不锈钢单晶体在pH1.0,0.25mol/lNa2SO4含氯介质中的孔蚀行为。对孔蚀过程中的阻抗频谱特征进行了分析,提出孔蚀的发生和发展过程中都有复合物(MOHC1)形成。复合物进一步吸附更多的氯离子,导致溶解反应发生。并提出一个孔蚀的的反应机理模型,它与304不锈钢多晶体在硫酸含氯介质中的孔蚀机理没有本质的差别

分析了金属轧制变形的模拟过程,提出了新的形变模型(PC模型)。PC模型修正了多晶体内各晶粒变形时的切变边界条件,允许各种切变在变形过程中部分存在,从而使模拟更接近实际晶体变形过程。与多晶铝轧制织构的比较表明,PC模型能更好地表达轧制过程中面心立方金属各晶粒取向,在取向空间内的流动倾向及最终稳定位置

研究了一类关于浓度的三维稳态晶体生长控制方程.这类问题由于带有远场条件,无法按常规方法给出其解析解或数值解.在复数域内利用分离变量法,得到了这类方程的级数形式的解析解,而最后的解是实数形式.结果表明,固液界面前沿浓度是指数震荡衰减的

本文提出了一种理想准晶格的数学模型,它的平面投影图中,平行的水平直线上结点服从Fibonacci排列;而每个分离的呈环状结点的中心都是局部5次对称中心;两个相叠(相分离)的环状结点外层均布着14(16)个结点,很圆满地描述了Hiraga等人的锰-铝准晶体高分辨图

对交流电场作用下定向凝固组织的研究发现,交流电场对定向凝固组织有细化作用,且随电流的增大,其效果越明显,同时交流电场使凝固界面的溶质含量减小．通过对电场各种作用的分析发现：界面的化学势的减小使界面的稳定性增加；但界面能的增大、活度系数的减小以及界面溶质层内的震荡会使界面变薄,使界面的稳定性减小,从而破坏了胞晶的稳定生长,使柱状胞晶变成细碎的晶体．

实验准备及常规仪器设备使用 分立元件及负反馈放大电路设计 测量放大器 晶体管输出特性曲线测试电路 模拟乘法器及调幅与检波电路 LC三点式振荡器 数字电路的FPGA应用实验 脉冲电路及其应用 综合实验 锁相环及频率调制与解调电路 运放基本应用电路

4.2.1电力电子器件的分类 两大分支: 一是以晶闸管为代表的半控型器件; 二是新型的品类繁多的全控型器件,如电力晶体管(GTR),可关断晶闸管(GTO),功率场效应晶体管(功率 MOS FET),绝缘栅极双极晶体管(IGBT)等

对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光

采用Al2O3、Y2O3为助烧剂,液相烧结获得了致密的α-SiC和β-SiC陶瓷,并研究了SiC了烧结体的物相组成和微观结构.实验结果表明,Al2O3,Y2O3原位形成了YAG,材料以液相烧结机制致密化,α-SiC通过溶解和再析出机制,促进晶体生长,并形成\Core/Shell\结构.物相分析表明,β-SiC陶瓷粉末在烧结过程中发生了β→α的相变.微观结构观察显示,β-SiC陶瓷中生成了长柱状晶粒

2.1 放大的概念和电路主要指标 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路静态工作点的稳定 2.5 单管放大电路的三种基本接法 2.6 晶体管基本放大电路的派生电路 2.7 场效应管放大电路