区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料， 高纯金属的重要方法

一、外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 二、外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法

一、回忆:硅的晶体结构;如何形成

利用离子交换剂与溶液中的离子发生交换作用而 使离子分离的方法，称为离子交换分离法。20世纪初 期，工业上就开始用天然的无机离子交换剂泡沸石来 软化硬水。泡沸石的化学成分为硅铝酸盐(如 Na2A12Si4O12 ·nH2O)，当与水接触时，其中的Na+便 与水中的Ca2+ 、Mg2+发生交换作用：

中国农业大学：《植物营养学》课程教学资源（PPT课件）钙、镁、硫、硅肥料

中兴通讯技术：新型硅基集成光隔离器的研究进展（李明轩）

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

一、碳族元素概述 二、碳的单质及其化合物 三、硅的单质及其化合物 四、锗、锡、铅的单质及其化合物