中兴通讯技术：新型硅基集成光隔离器的研究进展（李明轩）

技术广角新型佳基集成光隔离器的研究进展李明轩等 ZTE TECHNOLOGY JOURNAL 新型硅基集成光隔离器的 研究进展 Research Progress of New Silicon-Based Integrated Optical Isolators 摘要:光隔离器是保障光通信系统稳定运行的重要核心器件。目前,光通信器件在单个 芯片上的集成是必然趋势,但光隔离器的集成仍然存在损耗高、隔离度差、集成工艺困难 李明轩儿| Mingxuan2,于丽娟 YU Lijuan, 等渚多问题,复杂有源光通信器件片上集成的发展也因此受到了阻。概述了实现光隔 建国 LIU Jianguo2 离的几和有效方案,介绍了佳基集成光隔离器的最新研究进展,井对其未来的发展态势(1.中国科学院半导体研究所,北京1008 进行了展里。 2.中国科学院大学,北京100049) 关键词:光学器件;硅基集成;非互易器件;光隔离器;波导结构 11. Institution of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China. Abstract: Optical isolators are core devices to ensure the stable operation of optical 2. University of Chinese Academy of Sciences, communication systems. At present, the integration of optical communication devices on Beijing 100049, Chinal a single chip is an inevitable trend, but there are still some serious problems in the integration of isolators such as high loss, poor isolation, and difficult integrating process which have hindered the development of on-chip integration of complex active optical Munications devices. In this paper, several effective solutions for optical isolation and the latest research progress of silicon-based integrated optical isolators are O1:10.12142 ZTETJ201905011 ntroduced, and its future development is forecasted 网络出版地址http:/kns.cnkinet/kcms/detai Key words: optical device; silicon-based 网络出版日期:2019-10-11 isolators; waveguide structure 收稿日期:2019-07-16 随 着信息时代的发展,为了更成其他波长和模式光的产生,同时谱宽度并带来频率漂移,使系统无 好地满足其“爆炸式增长”的会破坏传输稳定性并给器件带来各法满足外差法的条件从而不能正常 信息传输需要,人们对光纤通信模种不良影响。这些不良影响包括:工作。 块、链路和系统的性能要求也在逐(1)对于直调激光器,反射波会给激 光隔离器是使光信号只允许沿 步提升。在光路中,由于种种原因光带来啁啾,导致光源信号的剧烈一个方向传播并能阻挡反射光的器 会产生与正向传输光方向相反的反波动,调制带宽下降,十分不利于高件,又叫光单向器。它类似于电路 射光。例如,当光耦合进入光纤时,速信号的长距离传输,严重时甚至中的“二极管”,能够用来防止光路 由于连接器和熔接点的存在,将会会烧毁激光器;(2)对于光纤放大中由于各种原因产生的反射光给正 在这些端面和点处产生与原传输方器,反射波的存在会增加噪声强度,向传输光带来的不良影响。因此 向相反的反射光。反射波的光子回从而使传输信噪比降低;(3)对于模光通信系统需要在这些端口处加人 到器件之中时,会与半导体材料进拟信号传输系统,本身抗电磁波干隔离器,这样能够有效地稳定系统 行二次作用。这将干扰发光材料的扰能力就较差,反射波会严重影响的正常工作,从而保证信号的传输 正常载流子分布,导致光路系统间通信质量;(4)对于相干光通信系统质量。衡量光隔离器性能的指标包 产生自耦合效应和自激励效应,造而言,反射波会增加载波信号的光括插入损耗、反向隔离度、回波损 68 中兴通讯技术 2019年10月第25卷第5期oc.2019Vo1.25N.5

李明轩 等新型硅基集成光隔离器的研究进展技术广角 ZTE TECHNOLOGY JOURNAL 耗、3B隔离度带宽、通带带宽、偏端的电磁场分量为E,H,右端的电光隔离器。磁光材料的介电常数 振相关损耗、温度特性等。为了能磁场分量为E2,H2。根据无源情况张量是非对称的,因此采用磁光方 够使光隔离器在系统中发挥更好下的麦克斯韦方程,如式(1)所示:法可以从破坏对称性的角度来打 的效果,高反向隔离度、高工作带 V×E=-jouH 破洛伦兹互易定理,这也是光隔离 宽、高回波损耗、高稳定性和可靠 VXH=J+joE 重点研究的方向。衡量磁光材料 性、低插人损耗等特性是光隔离器式(1)中,为哈密顿算子,E为电隔离效果的物理参数为法拉第旋 的主要发展方向 场强度,H为磁场强度,为虚数单光系数。除此之外,材料的光学损 近年来,硅基光电子学的进步位,为正弦电场的圆频率,为磁耗也会影响到器件的最终性能 和绝缘层上硅(SO波导的出现,导率,为传导电流。 因此,较为理想的磁光材料需要同 使光电子器件正朝着小型化和集结合矢量公式,如式(2)所示:时具有比较大的法拉第旋光系数 成化的方向发展。这更让人们看 V·(E×H)=H·(VxE) 和比较低的光学吸收损耗,这种物 到了光通信系统在片上集成方面E·(VXH 理特性在铁石榴石这种材料中较 的发展前景,实现光电融合这一目当电磁场的介电常数张量和磁导为常见。 标指日可待。与体型隔离器相比,率张量μ满足如下公式时,如式(3 1958年, DILLON JR.J.F.等人 集成光隔离器体积更小。特别是所示 首次发现钇铁石榴石材料Y3Fe3O2 硅基集成的器件通过设计可以与 (YIG)对于红外光具有较好的传递 其他器件一同进行流片生产,十分 LiH=HA 性和较低的传输损耗,可用于磁光 适用于集成光路中且有望进行大将式(2)化简,即可得到洛伦兹互隔离器的制造"。但由于当时材料 规模的生产。不仅如此,硅基集成易定理 的制备技术不成熟,在器件的实际 的器件使用时不需要与光源进行 V·(E2×H1-E1XH2)=0。(4)制造方面几乎没有应用价值。20 对准,具有可靠性较高的特点。对 通过推导洛伦兹互易定理可世纪70年代,液相外延(LPE)射频 于磁光隔离器而言,集成型磁光隔知,对于线性的非时变传输系统而溅射技术的进步促进了薄膜材料 离器还具有所需的外加磁场强度言,破坏互易定理成立的条件使上的广泛应用,磁光薄膜材料应运而 更小等一系列优点;但由于缺乏一述方程不为零,即可得到非互易的生。同时期,科学家们发现YIG 种有效且实用的光隔离器的集成光传输,实现反向光的隔离。因中的Y离子在由少量抗磁性的Bi 方法,日前复杂的有源器件在光子此,可以从破坏对称性、破坏线性离子取代之后得到B:Y,能够在 集成芯片上的集成也受到了一些性以及破坏非时变性这3个角度去通信波长1300m和1550m附近 阻碍。 破坏互易定理,再根据物理性质不具有高出之前磁光材料几个数量 同的正反向光在同一种材料或结级的法拉第旋光系数,且随着Bi 1光隔离的实现原理 构中的传播特性不同,最终可实现离子含量的增加线性增大。1988 隔离反向光的效果。光隔离器的年, GOMI M.等人发现了利用Ce 1.1非互易传输 研究最初源于磁光材料及其法拉离子取代YG材料中的Y离子得 要实现光隔离的效果,需要打第旋光效应的发现,根据有无磁光到CeYG,对于相同波长的光波 破光波在同一路径不同传播方向材料可将光隔离器分为磁光隔离相比Bi:YG有其5~6倍的法拉第 上的传播可逆性,使反向传输光具器或非磁光隔离器 旋光系数,且温度系数更小。此 有与正向传输光不同的物理性质 后,产生了许多利用LPE和射频溅 即实现光的非互易传输 1.2磁光隔离器 射制备的B:YIG和Ce:YIG薄膜材 对于一个双端口器件,假设左 使用磁光材料的隔离器为磁料制成的磁光隔离器,为隔离器的 2010月第5卷第5用02009;|69

技术广角新型佳基集成光隔离器的研究进展李明轩等 ZTE TECHNOLOGY JOURNAL 小型化打开了局面。 用于更广泛的情况。 件,涌现出了许多方法,包括:(1)利 传统体型光隔离器为法拉第旋 用模转换的方法改变反向传输光的 光型隔离器,由2个偏振器和中间1.3非磁光隔离器 传播模式;(2)利用非对称马赫-曾 的磁光材料组成。光的非互易性传 非磁光方法的研究主要是为了德尔干涉仪(MZ型波导和多模干 播通过磁光效应实现,即磁光材料解决磁光材料难以小型化和集成的涉型波导;(3)注入电流增大铁磁材 在外加磁场下会产生法拉第旋光效弊端,除了打破对称性角度之外,还料对反向光的吸收系数等。其中 应,原理如图1所示。假设光从左可以从破坏线性性和非时变性角度某些方法也可以达到30dB以上的 到右为正向传输,竖直方向的线偏来打破洛伦兹互易定理。线性材料隔离度和1dB以下的损耗;但这些 振光经过左侧偏振器进入磁光材的物理特性是不随光的强度发生变以磁光材料作为波导或以石榴石材 料,由于法拉第旋光效应使偏振方化的;但对于一些非线性材料而言,料作为衬底制成的器件,还存在如 向从正向看过去逆时针旋转了不同的光强会导致材料的折射率随相位匹配条件难以实现、具有形状 45°,之后恰好通过45°放置的右侧之变化。因此,对于正反向的传输诱导的双折射效应、传播损耗较大 偏振器输出。当反向光进入隔离器光,非线性材料的折射率分布不同,等缺点 时,斜45°的线偏振光经过右侧偏从而实现非互易传输。另外,正反 随着硅基光电子学的发展,尤 振器进人磁光材料,由于法拉第旋向的光在波导中传播还具有非时变其是SO波导的出现,硅已经成为 光效应的非互易性会产生沿反向看性,即时间对称性,因此也可以考虑实现光电融合的首选材料。SO1损 过去的顺时针45°旋光,此时光的打破这种性质来制成隔离器。 耗很小,目前的工艺技术允许其实 偏振方向和左侧偏振器的偏振方向 现复杂和多变的光子集成回路,同 垂直从而无法通过,由此可以实现2光隔离器的集成 时与互补金属氧化物半导体 对反向光的良好隔离。 目前,商用的体型磁光隔离器(CMOS)工艺兼容,加之调制器、放 上述体型隔离器要求进入隔离具有相对良好的隔离性能,但是不大器、探测器等器件均在硅衬底上 器的光波偏振方向是确定的,称为能满足光通信器件小型化的需求,进行集成制成光子集成芯片;因此, 偏振相关型磁光隔离器。还有偏振因此人们开始研究波导型的隔离器光隔离器在硅基平台上的集成是未 无关型的光隔离器,即不要求光波件。早期的研究者尝试用在石榴石来发展的重要方向。YG材料的磁 的初始偏振态,这种隔离器能够适衬底上的石榴石器件去研究波导器光特性良好,尤其是掺杂稀土离子 Bi和Ce“之后具有较高的法拉第 旋光系数,目前也被广泛应用于光 隔离器等磁光器件的制造。但石榴 线偏振咨 石材料难以集成在硅基光学芯片 正向传输 上,因为得到石榴石相需要进行热 退火,会带来衬底之间的不匹配 因此,人们开始寻找各种无磁的硅 基集成光隔离器的实现方法,同时 反向传输 也尝试在石榴石材料的集成工艺上 光材料 进行突破 图1 2.1键合磁光薄膜的光隔离器 拉第旋光型隔离器原理 208年,日本学者 MIZUMOTO 70209年10月第25卷第5期042019025h.5

李明轩 等新型硅基集成光隔离器的研究进展技术广角 ZTE TECHNOLOGY JOURNAL T等人首次采用直接键合的方法将使光波在顺时针(CW)和逆时针在于增大了直波导与谐振腔波导的 Ce:YIG薄膜集成到具有MZI结构的(CCW)传播时具有不同的传播常耦合长度,让光更容易在谐振波长 SOI波导上,其结构如图2所示。数,因此有不同的谐振波长。如果耦合进入谐振腔;因此,隔离度得到 在给Ce:YlG薄膜施加反向平行磁正向和反向的透射光谱偏移了自由了提高,在波长1550mm附近实现 场的情况下,光在器件中传播时具光谱范围的一半,则可以实现和优了195dB的隔离效果。 有非互易相移,2臂中的反向光由化光学隔离。正向光传输为CW模 2017年, PINTUS P.等人测出 于2种相移相差奇数倍而干涉相式且为非谐振波长,不会耦合进入了环形谐振器结构的磁光隔离器的」 消,从而达到了隔离反向光波的效环形谐振腔而直接从直波导的另一隔离性能:在波长1558.35mm附近 果。制成的器件在波长1559mm处端输出;反向光传输为CCW模式且达到最大隔离度32dB,插入损耗为 达到最大隔离度2IdB,具有较大的为谐振波长下,因此大部分光耦合10dB左右,顺时针和逆时针传播模 工作带宽。 进人环形腔内产生谐振最终实现光式之间的带宽之差为0.2nm。该 2011年, TIEN M.C.等人首次隔离。测得该隔离器的在1550m器件采用同样直接键合的方法制 用键合磁光石榴石的方法实现了硅处具有9dB的隔离度,并且因为波成,适用于横磁(TM)模。将制成的 光环形隔离器,结构如图3所示。导结构相对简单,附加的波导损耗隔离器芯片输入、输出端口分别与 该隔离器包括1个环形谐振器、1条较低。 可调谐激光器以及光功率计相接, 直耦合波导和键合的薄膜Ce:YIG。 之后BL.等人在此基础上进TM模的光利用带有透镜的保偏光 通过给磁光薄膜施加以环形谐振器行了改进,将环形谐振器改为跑道纤接入芯片,光斑大小为25μm 为中心的径向磁场,产生的非互易型环形谐振器,如图4所示例。相比还测出了MZI结构的磁光隔离器的 效应打破了环形谐振器的对称性,环形的方案,跑道型谐振器的优点参数:最大隔离度大于10dB,插入 损耗小于4dB,工作带宽为20nm 左右 互易相移器 互易相移器 对比2种结构的隔离器的性能 模干涉耦合器 可以发现,MZI结构的隔离器的最 大隔离度较低,但是具有较大的工 作带宽。2种隔离器结构的插入损 耗都较大(插入损耗主要由Ce:YIG 薄膜的吸收引起),而且在环形谐振 光材料的马赫-曾德 器结构中的吸收要更大一些,因为 仪型隔离器结构图这种结构键合的芯片尺寸要更长。 额外损耗可以通过缩短被覆盖的直 )视图 b)側视图 皮导的长度,或改变波导宽度以减 少光学模式与Ce:YG之间的重叠 磁光材料种子层 来减小。在应用方面,由于环形谐 磁光材料 振器结构的隔离器2种传播模式之 间的带宽很窄,因此可以应用于对 光材料 掩理氧化层 单波长激光器的隔离中;MZI结构 的隔离器工作带宽较大,更适用于 ▲图3键合磁光薄膜的环形谐振器型隔离器结构 波分复用系统和高速数字信号的传 2010月第5卷第5用02009;|71

技术广角新型佳基集成光隔离器的研究进展李明轩等 ZTE TECHNOLOGY JOURNAL 输系统中。 和11μm)的薄膜材料,测试出隔离便在不产生补偿点的情况下减小石 度消光比均大于20dB,插入损耗均榴石的饱和磁化强度。制成的这种 2.2带有闭锁性磁光薄膜的法拉小于0.ldB。先利用LPE生长出高磁光材料被称为闭锁型法拉第旋光 第旋光型光隔离器 质量的块状材料,再利用基于离子铁石榴石材料,材料内部存在预先 在以往关于片上集成的磁光隔注入的晶体离子切片技术,从高质锁住的磁化场;因此,在应用时不需 离器研究工作中,人们大多在改进量的块状材料中获得微米级厚度的要加偏磁磁铁,这样可以大大缩小 波导结构等方面做出努力,例如采磁光薄膜样品。这样制造磁光材料器件的尺寸 用法拉第旋光器结构、MZI结构、环的好处在于成功避免了在光波导上 形谐振器结构等等;但是关于减小进行晶格外延生长的需要。此外,2.3基于马赫一曾德尔行波调制 器件尺寸以及去除磁化元件(如永能够将器件尺寸减小的重点在于这 器实现的光隔离器 磁铁或电磁铁)的问题还没有得到种磁光材料,不需要在器件内部放 2017年, SONG B.H.等人在对 广泛关注。 DOLENDRA K.等人采置磁体来产生磁场,即实现无磁体一种商用的马赫-曾德尔调制器 用晶体离子切片技术(如图5所器件的制造。要达到这种效果,关(MZM)加载射频(RF)调制信号时 示),制成了高隔离度、低插入损耗键在于设计石榴石的组成成分。通调制器能够呈现出“时间门”的效 的集成磁光隔离器。通过这种技过最大限度地引入铕(Eu)来实现果,即能够阻挡任何反向传输的光 术制成的3种厚度(300m、50m没有偏置磁体的饱和磁性状态,以波,但同时允许正向传输的周期性 脉冲信号通过,结构及原理图如图 6所示。这个特定的功能是利用 光波、电信号的共同传播和逆向传 佳谐長腔 石稻石 播在调制器中光信号、电信号的相 互作用。反向传播产生的调制器输 出等于输入电信号的时间积分形 磁光氧化物 二氧化 式,积分窗口长度是调制器传播延 迟的2倍。当输入电信号是周期性 a)结构图 b)制成器件的扫描电子显微镜图 的RF频率并且积分窗口是其周期 色下计指:由到戏万向的框场汇方” 的整数倍时,积分结果是恒定的零 输入RF信号对于调制器反向传输 ▲图4环形跑道谐振器型隔离器 光的输出没有影响。因此,当调制 器偏置为零传输时,只要仔细选择 调制频率,就可以阻挡与调制波相 位无关的反向传输光波。正向传输 光受RF驱动信号的常规调制。这 样,正弦周期中的每个RF信号峰值 驱动调制器远离零传输状态,并且 化万向(z) 打开了前向光波的传输时间门。 10 mm 2.4实现光隔离的其他方法 闭锁性磁化薄膜及磁化 方向示意图 除上述方法之外,人们还进行 中兴通讯技术 2019年10月第25卷第5期oc.2019Vo1.25N.5

李明轩 等新型硅基集成光隔离器的研究进展技术广角 ZTE TECHNOLOGY JOURNAL 的弯曲波导损耗,更要求工艺容差 正传 小,需要较高的工艺精度。微环结 反向箱潘 构隔离度较大,结构简单,损耗较 低;但工作带宽窄,实用性偏低。其 他方法如具有行波调制的方法,也 为隔离器的发展提供了新的思路 电传输线 随着工艺的不断进步,隔离器会逐 渐突破结构和材料的限制,实现高 a)结构图 )传输光语模拟图 隔离度、低插入损耗、大工作带宽、 △r:光在波导干涉臂中的传播延迟 小尺寸、超紧凑的硅基光隔离器的 di:第1传输位盟,上下干涉臂相差为0 第2传输位,上下干涉臂相差为T 集成。 ▲图6基于马赫-曾德尔行波调制器实现的光隔离器 了其他无磁方法的探索。例如,利借助磁光方法和非磁光方法来完 用带有半畴结构的奇数个电畴的周成。磁光方法主要依靠磁光材料介 期性极化铌酸锂晶体(O& HPPLN)电常数的不对称性,通过法拉第旋 构成一种新的非磁光隔离器;利光、非互易相移等具体方式来实现 用二维光子晶体结构实现非线性光而非磁光方法主要利用特殊的波导 子晶体隔离器;利用波导中的光结构,改变介质折射率的分布或系 子转化能够在相反的传播模式中产统的非时变性来实现。总体来讲, 生非互易相位响应的特点,提出了磁光方法较为成熟并具有良好的隔 种MZI结构来构成光隔离器;离性能,但磁光材料和磁化元件的 采用硅基集成的纳米光子环谐振器集成较为困难,损耗较高;非磁光方 利用角动量诱导来实现非互易性传法虽然无需利用磁光材料,容易集 播;利用四波混频(FWM)效应,采成,但是隔离性能较差,大多数方法 用具有级联滤波器的硅基集成光学仍处于理论研究阶段。 隔离等。这些方法都从非磁光材 对SOI波导器件的结构进行设 料的角度来实现光隔离,但普遍处计,产生了各类磁光以及非磁光隔参考文献 I1 DILLON JR J F. Observation of Domains in the 于理论验证阶段。同时,方法中采离器件,且具有较高的集成度。磁 Ferrimagnetic Garnets by Transmitted LightlJ 用的光学调制、非线性效应等均需光隔离器采用直接键合的方法将磁 Journal of Applied Physic 要较大功率的输人光,普遍存在结光薄膜材料贴合在sOI波导上;非 D 构复杂、正向光透过率低、损耗较磁光隔离器则利用光子跃迁、行波 Devices(J, Handbook of Thin Films, 2000,4: 93-141.D0:10.1016/B978-012265320-9/ 大、实用性不强等弊端,但为实现集调制等方法。而马赫-曾德尔结构 13 GOA P E HAUGLIN H BAZILJEVICH M, et al 成光隔离的探索开辟了新的思路。和环形谐振器结构的集成光隔离器 al-Time Magneto-Optical Imaging of 在2种方法中均较为常见。2种结 Superconductor Science and Technology, 2001,149):729-731.D0:10.10880953 3结束语 构相比,马赫-曾德尔结构具有较 2048/14/9/320 14 AICHELE T, LORENZ A, HERGT R, et al 实现光隔离的基本方法是实现大的工作带宽,更适用于多波长传 Garnet Layers Prepared by Liquid Phase 光在介质中的非互易性传输,可以输;但结构相对复杂,不仅带来较高 Epitaxy for Microwave and Magneto-Optica Applications-a Review[J. Crystal Research 2010月第5卷第5用02009;73

技术广角 新型硅基集成光隔离器的研究进展 李明轩等 ZTE TECHNOLOGY JOURNAL and Technology: Journal of Exper imental and solators(J). Journal of Applied Pl dustrial Crystallography, 2003, 38(7-8): 575 121(23)233101.Do:10.1063/1.4986237 87.Do:10.1002/crat200310071 112]SONG B, ZHUANG L, LOWERY AJ 作者简介 [5] GOMI M, SATOH K, ABE M. Giant Faraday Travelling-Wave Mach-Zehnder Modulat Rotation of Ce-Substituted YIG Films a Temporal Integrator and a Time-Gat Epitaxially Grown by RF SputteringIJI IsolatorJ] IEEE Photonics Technology panese Journal of Applied Physics, 1988, 27 Letters.2017,29113:1101-1104.DO 李明轩,中国科学院半导体 8A):L1536-L1538.Do:10.1143ap.271536 10.1109/LPT.2017.2703299 研究所在读博士生;主要研 6曾维友,谢康,蒋向东.集成磁光隔离器的研究 [13] LI J, SHI L, CHEN X Optical 究方向为硅光集成 进展J.激光与光电子学进展,2006,4310 on Faraday-Like Effect in Periodically Poled Lithium Niobate with odd Number of [7] MIZUMOTO T, SHOJI Y Optical Isolator for Domains Tailed with a Semi-DomainJJ Silicon-on-Insulator Circuits[Cl/2008 34th OSA B.2014314):730-734.D0!:10.1364 European Conference on Optica 2008:1-4.DO 114] CHEN C T, WANG G L, WANG XY, et al 0.1109ECOC.2008.47292 Deep-UV Nonlinear Optical Crystal [8]TlEN M C, MIZUMOTO T, PINTUS P, et al KBe2B03F2- Discovery Growth, Optical 于丽娟,中国科学院半导体 ilicon Ring Isolators with Bonded Properties and Applications[J]. Appli 研究所副研究员;主要研究 Nonreciprocal Magneto-Optic Garnets[J Physics B.2009,971k:9-25.Dol:10.1007 方向为半导体光电子器件和 Optics Express,2011.1912:11740-11745 混合集成技术;已发表 Do:10.13640E.19.01174 [15] YU Z, FAN S Optical Isolation Based on SC|论文30余篇 [9]BI L, HU J, JIANG P, et al. On-Chip Optical nonreciprocal Phase Shift Induced by Isolation in Monolithically Integrated Non terband Photonic Transitions[JI, Applied Reciprocal Optical Resonators[J]. Nature Physics Letters, 2009, 94(17 171116 DOI Photonics,2011,5(12:758-762.Do: 10.1063/1.312753 10.103a/ photon2011.270 SOUNAS D 刘建国,中国科学院半导体 [10] PINTUS P, HUANG D, SHOJI Y, et al LU A. Angular-Mlatic-Fre Biased Nanorings to Realize Mag 研究所研究员,中国科学院 Heterogeneous Silicon Optical Isolators and egrated Optical Isolation]. ACS 学特骋数授、博士生导师 Circulators[CI/Integrated Photonics Photonics, 2014, 1135: 198-204. DO 委科技委创新特区主题专 Research, Silicon and Nanophotonics Optical 0.1021/h400058y 家;主翌研究方向为高速光 117] WANG K, WANG Y, GAO S, et al. Silicon 10.1364/PRSN2017.h2A.2 子技术;曾获得国家杰出青 11] KARKI D, STENGER V, POLLICK A, et al on-Reciprocity [J. IEEE Photo 年基金;已发表SC论文12 篇,获得授权国家发明专 Thin-Film Magnetless Faraday Rotators for Technology Letters, 2017, 29115): 1261 利30余项 Compact Heterogeneous integrated Optica 1264.D0!:10.1109LPT.2017.2718110 74 兴通讯技术 019年10月第25卷第5期oct.2019vo25No.5