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山东大学:《集成电路制造技术》交互式多媒体计算机辅助教学课程辅导教案
文档格式:DOC 文档大小:603.5KB 文档页数:35
绪论部分教学内容的重点:了解半导体工业的形成及发展历史;了解半导体工业由半导体技术阶段过渡到微电子技术阶段的技术特征;掌握微电子时代的技术特征和当代微电子产业的技术水平。该部分教学内容的难点:当代微电子技术产业发展的内在驱动因素及各因素间的技术链作用
重庆大学:《数字电子技术基础 Digital Electronics Technology》课程教学资源(教案讲义,共七章)
文档格式:DOC 文档大小:7.37MB 文档页数:56
第1章 逻辑代数基础 第3章 组合逻辑电路 第4章 触发器 第5章 时序逻辑电路 第2章 门电路 第6章 脉冲波形的产生和整形 第7章 大规模与超大规模集成电路
重庆大学:《数字电子技术基础 Digital Electronics Technology》课程教学资源(课程实验教学大纲Ⅱ)
文档格式:DOC 文档大小:54KB 文档页数:3
脉冲与数字电路实验的目的是:培养学生掌握脉冲与数字电路的实验技能,掌握集 电路的使用规则和实验电路的布线方法。要求学生在实验原理指导下,熟悉和掌握常用 中、大规模集成电路的功能和在实际中应用的方法,具备基本电路的设计能力。培养学生 检查与排除电路故障
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)第六章 集成电路运算放大器习题解答
文档格式:PDF 文档大小:2.66MB 文档页数:15
6.1.1某集成运放的一单元电路如图题6.1.1所示,T、T2的特性相同,且BJT的B足够 大,问:(1)T、T2和R组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)写出Ie和Ie2的表达式。 设|Vm|=0.7V,Vc和R均已知。 解(1)T1、T2和R组成镜像电流源电路,在电路中作 为T3的恒流源负载,可提高放大电路的电压增益
《模拟电子》课程PPT教学课件:第六章 集成电路运算放大器(6.2)差分式放大电路
文档格式:PPT 文档大小:1.05MB 文档页数:30
6.2 差分式放大电路 直接耦合放大电路的零点漂移问题 6.2.0 概述 差分的基本概念 电路组成及工作原理 抑制零点漂移原理 6.2.1 基本差分式放大电路 6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性
《模拟电子技术》课程教学资源(教材讲义)第4章 集成运算放大电路
文档格式:DOC 文档大小:867KB 文档页数:8
运算放大器是由直接耦合多级放大电路集成制造的高增益放大器,它是模拟集成电路最重 要的品种,广泛应用于各种电子电路之中 本章讨论的问题:L什么是集成运算放大电路?将分立元件直接耦合放大电路 做在一个硅片上就是集成运放吗?集成运放电路结构有什么特点?
中国计量大学(中国计量学院):《光电技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一讲 光电技术的发展(主讲:李孝禄)
文档格式:PPT 文档大小:281.5KB 文档页数:42
第一阶段:传统的光学装置及仪器,不能胜任对 复杂光信息高速采集和处理的要求 第二阶段:半导体集成电路技术,可以将探测器 件及电路集成在一个整体中,也可以将具有多个 检测功能的探测器件集成在一个整体中。其价格 低,体积小。例如,将图形、物体等具有二维分 布的光学图像转换成电信号的检测器件是把基本 的光电探测器件组成许多网状阵列结构,引人注 目的器件CCD就是一种将阵列化的光电探测与扫 描功能一体化的固态图像检测器件。它是把一维 或二维的光学图像转换成时序电信号的器件,能 广泛引用于自动检测、自动控制,尤其是图像识 别技术
清华大学:《VLSI设计导论》实验四 集成电路综合设计实验
文档格式:DOC 文档大小:119.5KB 文档页数:4
一、实验内容: 对74HC139电路的片选信号Cs支路进行分析,确定其域值电压,输入输出 延迟及功耗,并给出Cs支路的版图设计
清华大学:《VLSI设计导论》第一章 概论、第二章 集成电路工艺基础
文档格式:DOC 文档大小:846KB 文档页数:22
近年来,随着深亚微米工艺的出现,硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道,片上系统(system on chip)今天已从概念成为现实。然而,在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事
《芯片制造半导体工艺实用教程》PPT教学课件:第一章 半导体工业介绍
文档格式:PPT 文档大小:1.73MB 文档页数:13
微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
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