采用微波加热和常规加热对硅锰粉和巴西粉锰的脱硅反应进行了动力学行为研究，以巴西粉锰为脱硅剂，与硅锰粉中的硅发生氧化还原反应.微波加热和常规加热分别加热到不同温度并保温一定时间，测定产物中硅含量并计算固相脱硅反应的表观活化能.实验表明：单一和混合料均可在微波场中快速升温.随着温度的升高和保温时间的延长，两种加热方式脱硅率均随之提高，在相同实验条件下，微波加热的脱硅率和反应速率均高于常规加热，微波加热可以提高固相脱硅率；微波加热固相脱硅反应的限制性环节为扩散环节，其表观活化能为102.93 kJ·mol-1，常规加热脱硅反应的表观活化能为180 kJ·mol-1，说明微波加热能改善固相脱硅的动力学条件，提高固相脱硅反应速率，降低脱硅反应的活化能

第一节 概论 第二节 应激反应的分子基础 第三节 应激反应的基本表现 第四节 应激反应与疾病

采用直流电沉积工艺,制备了平均晶粒尺寸为56nm的致密纳米晶铜.室温下进行单向拉伸实验,发现纳米晶铜的强度和韧性均随应变速率的升高而增大,特别是韧性的速率敏感十分显著.应变速率由1.04×10-5s-1升至1.04s-1时,断裂应变由23.2%增至39.4%,同时抗拉强度由309MPa增至451MPa.这一现象可归因于两个方面:首先,纳米晶铜的应变硬化行为随应变速率的升高而增大,从而使其均匀变形阶段的应变增加;其次,高应变速率下纳米晶铜颈缩时发生晶粒转动,这有助于其失稳阶段的应变增加

2、影响氧化还原反应速率的主要因素又哪些?在分析中是否都能利用加热的办法来加 速反应的进行?为什么? 答:影响氧化还原反应速率的主要因素除反应物的性质之外,还有反应物的浓度、反应温 度等。此外,加入催化剂可以改变反应的速率。有些反应可以通过加热,提高反应温度加快 反应进行

供应链管理环境下的库存控制问题是供应链管理的重要内容之一,且由于企业组织与管理模式的变化,它 同传统的库存管理相比有许多新的特点和要求。本章论述供应链管理环境下库存管理中出现的新问题,从 系统理论,集成理论的角度出发,提出了适应供应链管理的新的库存管理策略与方法这些策略与方法集 中地体现了这么一种思想:通过加强供应链管理环境下的库存控制来提高供应链的系统性和集成性,增强 企业的敏捷性和响应性

重点要求掌握掌握反应速率的意义及速率方程表达式；熟 悉实验活化能及速率常数的计算；能运用质量作用定律对 基元反应的反应速率进行有关的计算掌握浓度、温度、催 化剂对反应速率的影响；根据Arrhenius经验公式求算反 应的活化能及不同温度下的速率常数 7.1 化学反应速率的定义及其表示方法 7.2 反应速率理论简介 7.3 影响反应速率的因素

利用液压伺服试验系统和声波监测仪开展了岩石和混凝土材料声发射特性试验研究,并在试验基础上研究了损伤变量与声发射参数之间的量化关系.结果表明,损伤变量与声发射参数呈线性关系.采用基于Weibull分布的损伤本构模型及损伤变量与声发射数间的经验公式,推导出应力、应变参量与声发射数参量的耦合模型,该模型参数可以根据应力-应变全曲线及损伤变量与声发射数关系曲线的几何边界条件确定其表达式,方式简单适用.通过与岩石和混凝土试样单轴压缩试验实测结果对比,证实模型可以很好地反映单轴受压状态下岩石和混凝土的应力、应变与声发射数的耦合关系

实验 1 金属材料拉伸实验 3 实验 2 应变计的粘贴工艺 9 实验 3 电阻应变计的热输出 10 实验 4 电阻应变计测量原理实验指导 11 实验 5 材料弹性常数(E)实验指导 14 实验 6 弯曲正应力分布实验 16 实验 7 薄壁圆管弯扭组合应力测定实验 18 实验 8 开口薄壁梁弯心及应力等测定实验 22 实验 9 开口薄壁截面的约束扭转和圣维南原理实验 23 实验 10 冲击应力及动荷系数 26 实验 11 电测法测定衰减振动参数 28 实验 12 电测法标定加速度传感器的电压灵敏度 30 实验 13 单自由度系统强迫振动的幅频特性 31 实验 14 曲柄滑块机构角位移测量 33 实验 15 曲柄滑块机构的线位移和加速度测量 36 实验 16 拉伸应变硬化指数（n 值）实验(设计型实验) 40 实验 17 工程结构电测应力分析(设计型实验)任务书 42 实验 18 工程结构减振实验(设计型实验)任务书 43 演示实验 19 金属材料压缩剪切及扭转破坏实验 44 演示实验 20 金属材料疲劳演示实验 48 演示实验 21 光弹实验 49 演示实验 22 转子临界转速实验 53

对印度尼西亚海砂矿氧化性球团氢气还原的规律做了较详细的研究.实验采用失重的方法,通过对反应过程的物相变化、热力学以及动力学方面的分析,探究了海砂球团矿氢气还原的机理.结果表明:温度在800℃和850℃,还原反应的最终产物主要是FeTiO3,整个反应限制环节是由两个不同阶段的过程组成,反应开始阶段由界面化学反应控制,之后由界面化学反应与内扩散共同控制;在900、950和1000℃三个温度下,反应产物中有钛氧化物出现,整个还原反应由三个不同的限制性环节组成,开始由界面化学反应控制,反应中间阶段是由界面化学反应和内扩散共同控制,反应后期则是由内扩散控制为主

一、芳环的亲电取代反应及机制 二、取代基对芳环亲电取代反应的影响 三、多环芳烃的亲电取代反应 四、芳香杂环的亲电取代反应 五、芳环和芳香杂环的亲核取代反应 六、芳环取代基的反应