1、支路电流法 2、网孔电流法

3.3直接耦合放大电路 直接耦合放大电路:可用于放大变化缓慢(低频)的信号 3.3.1直接耦合放大电路的零点漂移现象 一、零点漂移现象及其产生的原因

RLC串联谐振电路 一、实验目的 1.观察谐振现象,加深对串联谐振电路的理解 2.掌握测量谐振频率、品质因数和绘制频率特性曲线的方法。 3.认识品质因数对电路选择性的影响。 二、实验设备 1.交流毫伏表2.函数信号发生器 3.双踪示波器4.模拟电路实验箱

10.1 小功率整流滤波电路 10.2 串联反馈式稳压电路 *10.3 串联开关式稳压电路 *10.4 直流变换型电源 10.0 引言 —— 组成和功能

8.1 基本运算电路（重点） 8.2 实际运放电路的误差分析（只讲1例） 8.3 对数和反对数运算电路× *8.4 模拟乘法器× 8.5 有源滤波电路（概念、一阶）

3.1 电子轰击源（Electron impact ionization,EI） 3.2 化学电离源（Chemical ionization source, CI） 3.3 场致和场解吸电离源（FI & FD) 3.4 快原子轰击源( Fast atom bombardment, FAB)和液体二次离子质谱 （Liquid secondary ion mass spectrometry, LSIMS） 3.5大气压电离（Atmospheric pressure ionization, API） 3.6 基质辅助激光解吸电离（Matrix assisted laser desorption ionization, MALDI) 3.7 无机质谱电离源 3.8 二次离子质谱(Second ion mass spectrometry, SIMS)

本章教学基本要求 1.了解电动机容量选择的基本理论和电机工作制。 2掌握电动机容量选择方法

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

第三章 多级放大电路和集成 电路运算放大器 3.1多级放大电路 3.2差分放大电路 3.3集成电路运算放大器

1、提高供电的可靠性 2、提高供电的经济性 3、提高电能 的质量（主要是U和f）无穷大电网：1）S→∞