宏观物体都是由大量不停息地运动着的、彼此 有相互作用的分子或原子组成 现代的仪器已可以观察和测量分子或原子的大 小以及它们在物体中的排列情况,例如X光分析仪, 电子显微镜,扫描隧道显微镜等. 利用扫描隧道显 微镜技术把一个个原 子排列成IBM字母 的照片 对于由大量分子组成的热力学系统从微观上加 以研究时,必须用统计的方法

新设计三维打印光敏树脂结构，其主要用在减震隔震组合结构中作为阻尼元件.首先利用微机控制电子试验机对其进行静力加载试验，得到静载下载荷—位移特性曲线，并计算得到特定点处等效弹性模量，利用疲劳机进行动力加载试验，得到结构件在从5 Hz到20 Hz不同频率下滞回曲线，并计算出相应等效阻尼系数.基于有限元法，建立光敏树脂结构有限元模型，并以和实验相同的工况进行静力学和动力学计算分析，并对试验数据和数值计算结果进行对比，得到计算结果与实测结果吻合良好，从而验证有限元模型的可行性.在此基础上通过有限元计算方法，研究不同几何参数缝隙宽度、内弧半径、外弧半径、厚度对光敏树脂结构特定点等效弹性模量以及等效阻尼系数的影响.此结构受力时，纵向保持刚度输出，维持小变形，横向位移放大，具有良好的减振和抵抗变形的能力

提高裂纹尖端应力强度因子值的计算精度,对于准确分析受力结构的起裂条件和破坏模式具有重要意义.本文采用3D打印技术获得了不含残余应力的平板模型,高精度打印预置裂纹避免了传统加工过程产生残余应力的缺点;综合考虑奇异场和非奇异场对裂纹尖端区域应力场的影响,引入远场边界控制的三个常数项应力,提出了光弹性多参数法;采用三点弯曲试验,运用最小二乘法计算了不同载荷下纯I型和I-Ⅱ混合型应力强度因子值,并与理论解对比分析.结果表明:对于纯I型应力强度因子,计算结果的平均误差为6.1%,对于I-Ⅱ混合型应力强度因子,计算结果的平均误差分别为6.4%和5.5%,多参数法与理论解相比较小的计算误差验证了该方法的可靠性和准确性,可为精确计算应力强度因子的光弹性实验研究提供借鉴

为了探寻20Mn2车桥管在加工过程中产生推方裂缺陷的原因,借助光学显微镜、扫描也子显微镜、氧氮分析仪等测试手段,研究了推方裂的影响因素和形成机理.结果表明裂纹均出现在冷推方后的方管角部,缺陷试样氮的质量分数达70×10-6以上,在裂纹试样低倍组织中发现上贝氏体组织,裂纹处有钢中夹杂物存在.通过降低钢液增氮、提高淬火冷速以及减少钢中夹杂物,可以有效减少推方裂的产生

1.1.1仿照图1.1.2①石英预制棒加热炉温度控制系统方框图,画出图1.1.1中光纤拉丝 盘转速控制的电子系统方框图,并加以说明

将喷涂法应用于制备染料敏化太阳能电池光阳极，具有浆料制备简单、易操作、成本低廉等优势.本文以钛酸丁酯和P25为原料配制浆料，采用喷涂法制备二氧化钛薄膜，选择乙二醇作为造孔剂，探索了乙二醇的最佳加入量.通过对电池I-V曲线，二氧化钛薄膜表面粗糙度、染料吸附量和漫反射谱，以及光阳极的扫描电镜照片和交流阻抗图谱的分析，得到如下结果：当乙二醇与钛酸丁酯的体积比为1：1时，二氧化钛薄膜的粗糙度最大，即孔隙率和比表面积最大，因此染料吸附量达到1.47×10-7mol·cm-2，电池性能最好，其中开路电压为0.69 V，短路电流为13.0 mA·cm-2，光电转化效率达到5.38%，比不加造孔剂时增加了将近1倍，此时电子的扩散转移电阻也最小

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

本文用各种不同的加热温度和不同的冷却方式,对20A深冲弹钢中出现的各种铁素体形态进行了光学金相和电子金相的观察,经过分析表明,在含碳量一定的低碳钢中,铁素体的形态和冷却方式,冷却速度有关,并且这些形态大都符合Dubè所作的分类。本文根据铁素体片的形态讨论了它的形核和长大的机构学

加法电路 （反相输入求和电路）在反相比例运算电路的基础上,增加一个输入支路,就构成了反相输入求和电路