一、回忆:硅的晶体结构;如何形成

6.1 引言 6.2 金属结晶的基本规律 6.3 纯金属结晶的基本条件 6.4 晶核的形成 6.5 晶体的生长 6.6 陶瓷和高分子的凝固 6.7 结晶理论的应用

介绍了模拟结晶器内渣膜形成的实验方法, 综述了国内外学者在保护渣传热方面所做的研究工作, 包括固态渣膜的界面热阻、保护渣的导热系数、辐射传热以及渣膜的光学性质, 并提出了今后在渣膜形成及传热研究中有待进一步完善的内容和方向.现有的研究结果表明利用热丝法可以对渣膜的形成过程进行原位观察, 采用水冷铜探头法可以获取用于研究渣膜微观组织的固态渣膜样品.渣膜的界面热阻在0.0002~0.002 m2·K·W-1之间.在800℃以下, 保护渣的导热系数在1.0~2.0 W·m-1·K-1范围内, 且随温度的升高而逐渐增加.渣膜中的晶体一方面可以增加渣膜的界面热阻, 另一方面可以提高固态渣膜的反射率, 起到降低辐射热流的作用.此外, 过渡族金属氧化物的加入以及固态渣膜中弥散分布的微小颗粒也能改变渣膜的光学性质, 从而影响通过渣膜的辐射传热

本章要求：本章在物质结构基本理论的基础上，介绍由一种特殊的共价键形成的配合物的组成、命名和基本性质，用价键理论和晶体场理论讨论配位键的本质，配离子的形成、空间构型和配合物的一些实际应用。1．掌握一般配合物的组成、命名和基本性质。2．明确配合物价键理论的基本要点,了解晶体场理论的基本内容，并能用其讨论一般配合物形成磁性、空间构型、稳定性等性质。3．了解配合物的一些实际应用

1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带—电 子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。由本征激发提供载流子一本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷

利用RTO金属包埋切片微米-纳米表征法,通过高分辨透射电镜观察了γ-AlOOH薄膜切片中的晶格点阵条纹像,分析了添加复合添加剂后异型纳米AlOOH的微观晶体结构,从原子层面揭示了由于铁离子的同晶替代以及硫酸根离子的插层而导致的晶格畸变.阐述了极性添加剂在晶须生长过程中首先形成复合的高聚体、进而定向生长的诱导机理,并指出了非极性表面活性剂对异型纳米AlOOH晶体形貌表面的修复和\美容\作用.用能谱及红外光谱佐证了复合多聚体的存在

一、成核 成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶 芽,这一相变过程中体系自由能的变化为: g=aG+△G 式中△G为新相形成时体自由能的变化,且△G0 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相转 变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另一 方面又由于增加了液-固界面而使体系自由能升高

一、矿物的概念 1、矿物： 自然界中的化学元素在地质作用下形成的单质或化合物。 矿物是自然元素在地壳中的保存形式。 2、晶体：内部质点呈有规律排列的固体。 非晶体：内部质点无规则的排列

当碳间隙式地溶解在y-Fe中,形成奥氏体时,可将 奥氏体的晶体结构看成为由fcc点阵、八面体间隙点阵交叉 配合组成,在fcc晶体结构中Fe原子数4个、八面体间隙位 置4个,当碳全部填满八面体间隙位置,C原子数4个,合 金成分为FeC(a=c=1),若碳原子含量低,没有全部占 据满八面体间隙,则认为合金为FeC+FeV混合而成,此外 V代表空位,这种混合造成C与V在亚点阵中的无序

共价结合是靠两个原子各贡献一个电子，形成所谓的共价键。 元素周期表中第 IV 族元素 C( Z = 6 )、Si、Ge、Sn (灰锡)等晶体，属金刚石结构，为共价晶体。 共价键的现代理论以氢分子的量子理论为基础。 两个氢原子 A 和 B，在自由状态下时，各有一个电子，其归一化波函数： A B ϕ and ϕ 每个氢原子中的电子满足薛定谔方程：