5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

第一章 绪论 第二章 遥感的物理基础 第三章 航空遥感与航空像片 第四章 航空像片目视判读 第五章 航天遥感与卫星图像 第六章 卫星图像的目视判读 第七章 遥感图像处理及地理信息系统

5.1 半导体光源的物理基础 5.2 半导体光源的工作原理 5.3 光源的工作特性 5.4 光发送机 5.5 驱动电路和辅助电路

聚合物的结晶受温度及温度历史影响较大,同时发生结晶又会对聚合物材料温度场产生影响.为了准确模拟冷却过程中温度场和结晶情况,将半结晶性聚合物熔体冷却过程及其结晶过程耦合起来分析,把宏观温度场结果作为介观模拟的输入,再把介观模拟的球晶生长情况作为宏观温度场模拟的输入,可同时得到宏观与介观二个尺度的模拟结果.由于该耦合建立在一定的物理基础上,模拟得到的结果较为合理

一、导体、绝缘体、半导体 二、制造半导体器件的材料 1-1 半导体物理基础知识 1-2 PN结 1-3 晶体二极管及其基本电路

• 1.1 相干性的光子描述 • 1.2 光的受激辐射基本概念 • 1.3 光的受激辐射放大 • 1.4 光的自激振荡

1.1 绪论 1.2 金属材料的塑性性质 1.2.1 低碳钢的简单拉伸试验 1.2.2 静水压力试验 1.3 塑性变形的物理基础 1.4 轴向拉伸的塑性失稳 1.5 塑性行为的简化 1.5.1 关于材料塑性行为的基本假设 1.5.2 应力-应变曲线的理想化模型 1.5.3 强化模型

实现光电转换、信号储存、转移、输出、处理及电子快门等。 特点： (1）体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、寿命长