一、根据物质的导电性,物质可以分为哪几种? 二、集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么?

一、回忆:硅的晶体结构;如何形成

以CaF2＋SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2（MgO）固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10s左右,稳定时间在20s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

为了研究碳酸根离子对富水充填材料的影响,通过强度检测、扫描电镜观察、X射线衍射分析和红外光谱测试,分析富水充填材料在碳酸钠溶液中浸泡后的宏观及微观结构变化,并对其腐蚀及劣化机理进行探讨.富水充填材料在质量分数为10%的碳酸钠溶液中浸泡后,抗压强度随浸泡时间延长大幅度降低,浸泡90 d后抗压强度比标养28 d抗压强度降低72.5%,浸泡28 d后出现泥化现象.X射线衍射图谱显示,富水充填材料在质量分数为10%的碳酸钠溶液中浸泡后有碳硫硅钙石生成,且随浸泡时间延长碳硫硅钙石的生成量增大.红外光谱结果未发现[AlO6]存在,证实在碳酸钠溶液中富水充填材料硬化体中钙矾石急剧减少,转变为烂泥状的碳硫硅钙石;碳硫硅钙石作为无胶结力物质,会对富水充填材料硬化体造成严重破坏,表明碳酸盐溶液对富水充填材料具有腐蚀作用

为充分利用当地工业固废研制新型生态墙体材料，在前期试验研究的配合比基础上，设计不同砂率、不同微硅粉掺量、不同脱硫石膏掺量、不同脱硫灰掺量、不同水泥掺量、不同水胶比这6种单因素，主要进行了45组135块新型陶粒混凝土立方体试件的抗压强度和表观密度的试验研究。研究结果表明，各因素对材料的抗压强度和表观密度均有较大影响，几种工业废料可以作为陶粒混凝土的掺合料使用