4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则

区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料， 高纯金属的重要方法

一、外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 二、外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响

7.1 概述 7.1.1 耐火材料的分类 7.1.2 显微结构与生产工艺及制品性能之间的关系 7.2 硅质耐火材料的显微结构特征 7.2.1 SiO2的相平衡 7.2.2 显微结构特征 7.2.3 使用过程中显微结构的演变 7.3 铝硅质耐火材料的显微结构特征 7.3.1 Al2O3 7.3.2 以莫来石为主晶相的耐火制品 7.3.3 以刚玉为主晶相的耐火制品 7.3.4 铝土矿系耐火制品 7.3.5 使用过程中显微结构的演变 7.4 锆铝硅质耐火材料的显微结构特征 7.4.1 ZrO2 7.4.2 熔铸AZS制品 7.4.3 烧结AZS制品 7.4.4 使用过程中显微结构的演变

一、根据物质的导电性,物质可以分为哪几种? 二、集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么?

《无机材料科学基础》课程教学资源（文献资料）逆反应烧结法制备刚玉氮化硅复合耐火材料

一、回忆:硅的晶体结构;如何形成

以CaF2＋SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2（MgO）固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10s左右,稳定时间在20s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用