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1. Why CMOS? 2. CMOS Process Step
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一、熟练对CMOS进行操作 二、熟练应用常用的DOS命令 三、熟练掌握CMOS的设置 四、熟练掌握常用DOS命令的应用
文档格式:PPT 文档大小:1.37MB 文档页数:56
通过本章的学习,将能够: 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响; 2. 对PN结进行描述,讨论其重要性,并解释其反向偏压和正向偏压的不同; 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能,偏压、结构及应用; 4. 描述 CMOS 技术的基本特征,包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别; 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质; 7. 列举一些集成电路产品,描述其各自的一些应用
文档格式:PPT 文档大小:1.6MB 文档页数:32
通过本章的学习,将能够: 1. 画出典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图; 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的; 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺
文档格式:DOC 文档大小:229.5KB 文档页数:22
AAA集团,主要致力于单片系统集成(SC)的大规模集成电路(VLIC)CMOS传感器的设计以及发展一系列的硅材料消费电子产品。近年来CMOS传感器在消费类电子领域很大范围内已经替代了 CCD CMOS传感器使用光电二极管和模拟-数码转换器,将入射光转换成数码输出
文档格式:PPS 文档大小:334.5KB 文档页数:6
6.4.1 MOSFET开关特性与开关等效电路 6.4.2 CMOS开关电路 6.4.3 CMOS四通道模拟开关
文档格式:PDF 文档大小:3.28MB 文档页数:35
2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则
文档格式:PDF 文档大小:6.41MB 文档页数:56
 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺
文档格式:PDF 文档大小:1.62MB 文档页数:34
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap4-1 第四章 CMOS单元电路 静态CMOS逻辑电路 4.6 复杂逻辑门的分析
文档格式:PDF 文档大小:6.51MB 文档页数:171
 运放的系统级设计  主要的OTA结构  简单CMOS OTA  折叠式OTA  对称结构OTA  单级的增益提高技术  Miller结构的OTA(两级)  全差分运放  运放设计的其它考虑  运放芯片主要参数的测试(或仿真)方法
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