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清华大学:《VLSI设计导论》第一章 概论
文档格式:PPT 文档大小:1.19MB 文档页数:61
第一节引言 信息产业值占国民经济总值的40%~60%是支柱 微电子工业是国民经济信息化的基石 集成电路是微电子技术的核心 如果以单位质量的“钢”对国民生产总值的贡献为1来 计算,则小轿车为5,彩电为30,计算机为1000,而 集成电路则高达2000
I2C总线接口电路设计及VLSI实现 Design of a Slave I2C Bus Interface Circuit and Its VLSI Implementation
文档格式:PDF 文档大小:702.13KB 文档页数:24
I2C总线接口电路设计及VLSI实现 Design of a Slave I2C Bus Interface Circuit and Its VLSI Implementation
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(设计实验)Cadence IC 设计实验(Diva Interactive Verification)
文档格式:PDF 文档大小:274.88KB 文档页数:10
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(设计实验)Cadence IC 设计实验(Diva Interactive Verification)
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(课件讲稿)第8章 高速CMOS逻辑电路设计
文档格式:PDF 文档大小:1.28MB 文档页数:25
8.1 门延时 8.2 驱动大电容负载 8.3 逻辑努力(Logical Effort) 8.4 BiCMOS驱动器
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(课件讲稿)第4章 CMOS集成电路的制造
文档格式:PDF 文档大小:1.56MB 文档页数:22
4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(课件讲稿)第3章 CMOS集成电路的物理结构
文档格式:PDF 文档大小:1.45MB 文档页数:26
3.1 集成电路工艺层 3.2 MOSFET 3.3 CMOS工艺层 3.4 FET阵列设计
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(课件讲稿)第2章 MOSFET逻辑设计
文档格式:PDF 文档大小:1.88MB 文档页数:28
2.1 理想开关 2.2 MOSFET开关 2.3 基本的CMOS逻辑门 2.4 CMOS复合逻辑门 2.5 传输门电路 2.6 时钟控制和数据流控制
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(课件讲稿)第6章 MOSFET的电气特性
文档格式:PDF 文档大小:1.01MB 文档页数:19
6.1 MOS物理学 6.2 nFET电流-电压方程 6.3 FET的RC模型 6.4 pFET特性 6.5 小尺寸MOSFET模型
复旦大学:微电子工程教学资源(参考论文)从模式I2C总线接口电路设计及其VLSI实现
文档格式:PDF 文档大小:145.96KB 文档页数:4
复旦大学:微电子工程教学资源(参考论文)从模式I2C总线接口电路设计及其VLSI实现
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap8 第八章 VLSI设计方法
文档格式:PDF 文档大小:5.42MB 文档页数:29
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap8 第八章 VLSI设计方法
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