浙江大学网络教育课程：《电力电子技术》教学资源（PPT课件）第一章 功率半导体器件 3.功率半导体器件

7.1半导体存储器的分类 7.2存储器的组成 7.3存储器的主要技术指标 7.4只读存储器(ROM) 7.5随机存储器(RAM) 7.6存储器的扩展

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

第三节 SQUID磁敏传感器 第四节 磁通门式磁敏传感器 第五节 感应式磁敏传感器 第六节 半导体磁敏传感器 第七节 机械式磁敏传感器

1、阻挡层与反阻挡层的形成 2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性

假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态dZ个，则定义状态密度g（E）为：

3.1半导体三极管 3.2共射极放大电路 3.3图解分析法 3.4小信号模型分析法 3.5放大电路的工作点稳定情况 3.6共集电极电路和共基极电路 3.7放大电路的频率响应

第三节 SQUID磁敏传感器 第四节 磁通门式磁敏传感器 第五节 感应式磁敏传感器 第六节 半导体磁敏传感器 第七节 机械式磁敏传感器

例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

9.1 半导体存储器 9.2 可编程逻辑器件PLD