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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.2 反相器瞬态特性

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8.1 门延时 8.2 驱动大电容负载 8.3 逻辑努力(Logical Effort) 8.4 BiCMOS驱动器

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功耗来源影响因素

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4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则

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3.1 集成电路工艺层 3.2 MOSFET 3.3 CMOS工艺层 3.4 FET阵列设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.1 反相器直流特性

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论4

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论3

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论1