植物种类的不同,它们的生长发育类型和对外界环境条件的要求也不相同。只有充分调查清楚每种 植物生长发育的特点,以及所需要的环境条件,才能创造和运用相应的栽培技术措施,达到人们改造植 物、利用植物的预期目的。当前国际花卉生产中广泛采用的电照生产、遮光处理、种子和球根的低温处 理等技术措施,都是在充分了解和掌握某些花卉生长发育特点的基础上制定的栽培措施,这些都大大提 高了花卉生产的经济价值和观赏价值

通过极化曲线测试、浸泡实验和表面分析技术研究了不同交流电流密度对X65钢在碳酸盐/碳酸氢盐溶液中腐蚀行为的影响.随交流电流密度的增加，钝化区宽度明显变窄，点蚀击破电位负移，维钝电流密度增大，腐蚀速率增加.在低交流电流密度下（<100 A·m-2），维钝电流密度、点蚀程度和腐蚀速率均略增加；在高交流电流密度下（≥100 A·m-2），维钝电流密度、点蚀程度和腐蚀速率均快速增加

利用低温液氮球磨技术制备了Al-Zn-Mg-Cu合金纳米晶粉末,并采用X射线衍射(XRD)对材料在球磨过程中的晶粒尺寸和微观应变进行了研究,利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和差热分析(DSC)等测试方法研究了材料的固态相变以及热稳定性.研究表明,粉末晶粒尺寸随着球磨的进行逐渐减小,球磨10h后晶粒尺寸达到45nm;微观应变随着球磨的进行逐渐增大.粉末球磨过程中,MgZn2相逐渐减少,合金元素过饱和固溶于α-Al晶格之中.球磨10h后仅有少量的MgZn2相存在.制备的Al-Zn-Mg-Cu纳米晶粉末在低于709K下加热,粉末晶粒长大速度较慢,表明Al-Zn-Mg-Cu纳米晶粉末具有较高的热稳定性

分别采用X射线衍射、金相显微镜、原子力显微镜和透射电镜等组织表征手段以及室温拉伸和热膨胀系数测试等性能测试方法,对比研究了高温退火、低温时效处理对冷拔Fe-Ni合金丝微观组织演变、拉伸强度以及热膨胀系数的影响.研究结果表明:原始丝材强度高,但是室温热膨胀系数较大;而950℃退火导致晶粒粗化以及位错密度降低,虽然室温热膨胀系数低,但强度不足.相比之下,500℃较低温度的时效处理,能获得最优的强度/热膨胀系数组合(1189 MPa/0.2×10-6℃-1).对Fe-Ni合金丝相应的强化机制以及热膨胀系数的影响因素分别进行了讨论分析,分析结果表明:细晶强化与位错强化是该合金丝的主要强化机制,而热膨胀系数则主要受溶质原子-位错交互作用影响.揭示出,合适的热处理工艺选择对于Fe-Ni合金丝力学性能/热膨胀性能优化具有重要意义

1．答：特点：集成度高、速度快、功耗低、价格便宜、可靠性高、使用方便。内存 有两种：随机存取存储器 RAM，只读存储器 ROM。一般的 RAM 芯片，关闭电源后所存 信息将全部丢失。它通常用来暂存运行的程序和数据。在计算机运行期间只能读出存储的 信息而不能用通常的方法将信息写入

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

2.1 导电材料 2.1.1 导电材料的种类及应用 2.1.2 电阻材料的种类及应用 2.1.3 其他导电材料及应用 2.2 半导体材料 2.2.1 典型半导体材料 2.2.2 半导体微结构材料 2.2.3 非晶态半导体 2.3 超导材料 2.3.1 低温超导体 2.3.2 高温超导体 2.3.3 超导材料的应用

第一节 低温胁迫和植物抗寒性 第二节 高温胁迫和植物抗热性 第三节 水分(亏缺)胁迫(water deficit stress)及植物的抗旱性 第四节 涝害 (flooding)与植物的抗涝性 第五节 盐害(salt stress)与植物的抗盐性 第六节 氧化胁迫(oxidative stress)---活性氧（reactive oxygen species, ROS）生理 第七节 植物对非生物胁迫的适应机理

实验一 典型电信号的观察与测量 实验二 零输入、零状态及完全响应 实验三 信号的采样与恢复 实验四 信号的（无失真）传输 实验五 非正弦周期信号的分解与合成 实验六 低通、高通、带通、带阻滤波器间的变换 实验七 付里叶变换、拉普拉斯变换、Z 变换应用 实验八 系统的频域响应