§5.1 自然光与偏振光 Natural Light and Polarized Light §5.3 单轴晶体的双折射现象 §5.4 光在晶体中波面 Wave Front of Light in the Crystal §5.5 光在晶体中的传播方向 Direction of Light Propagation in the Crystal §5.6 晶体偏振器件 Crystal Polarization Device §5.7 椭圆偏振光与圆偏振光 Elliptically and Circularly Polarized Light §5.8 偏振态的实验检验 Experimental Analysis of Polarized Light §5.9 偏振光的干涉 Interference of Polarized Light §5.10 光弹性效应和电光效应 Photoelastic Effect and Electro－Optic Effect 5.11 旋光现象 (Rotational Phenomena)

通过种子生长法和自组装技术合成Ag@Pt核壳结构纳米粒子(以下简称Ag@Pt粒子),测量和比较在电催化循环伏安扫描(以下简称CV扫描)过程中失效前后的Ag@Pt粒子对甲醇的电催化性能的变化,采用透射电镜、高分辨电镜、X射线光电子能谱等方法研究其失效机理.结果表明:Ag@Pt粒子在循环伏安扫描的过程中会发生空化现象,其临界电压为0.5 V,空化现象随时间的增长而变得明显;Ag@Pt粒子空化后形成由Ag包覆空心Pt壳的纳米粒子,这是导致其在对甲醇进行电催化氧化过程中催化性能明显下降的原因

§12-1胶体分散体系的特性 §12-2溶胶的制备与净化 §12-3溶胶的光散射现象 §12-4分散体系的动力性质 §12-5电动现象及胶团结构 §12-6胶体的聚沉和稳定性的DLVO理论 §12-7大分子化合物溶液的特征 §12-8大分子溶液的研究方法 §12-9大分子溶液的渗透压和Donnan平衡 §12-10大分子溶液的粘度 §12-11盐析和胶凝

对45 t电炉终点碳控制技术进行研究，优化了冶炼工艺及用氧制度，改进了泡沫渣工艺.电炉氧化末期钢水碳的合格率得到较大提高，减少了脱氧材料加入量，在一定程度上降低了LF座包钢水中的氧含量.通过优化泡沫渣工艺，电炉炉盖结冷钢现象已基本杜绝，炉子水冷件漏水现象大幅度减少，缩短了热停时间

教学目的 1.掌握种子、人工种子、种子发育中的主要异常现象、种子产业化和种子工程的概念。 2.掌握种子发育中异常现象的意义。 3.掌握种子成熟的标志、种子的一般形态构造 4.了解种子科学的发展、种子学的基本内容和种子发育的一般过程

一、什么是多径效应? 移动通信电波传播最具特色的现象是多径 衰落,或称多径效应。无线电波在传输过程中会 受到地形、地物的影响而产生反射、绕射、散射 等,从而使电波沿着各种不同的路径传播,这称 为多径传播。由于多径传播使得部分电波不能到 达接收端,而接收端接收到的信号也是在幅度、 相位、频率和到达时间上都不尽相同的多条路径 上信号的合成信号,因而会产生信号的频率选择 性衰落和时延扩展等现象,这些被称为多径衰落 或多径效应

§2-1 烷烃 §2-2 烯烃 §2.2.1 烯烃的结构 §2.2.2 烯烃的异构现象 §2.2.3 烯烃的命名 §2.2.4 烯烃的物理性质 §2.2.5 烯烃的化学性质 §2.2.6 亲电加成反应机制及取向 §2-3 炔烃 §2.3.1 炔烃的结构 §2.3.2 炔烃的异构现象和命名 §2.3.3 炔烃的化学性质 §2-4 二烯烃 §2.4.1 二烯烃分类、异构与命名 §2.4.2 共轭二烯烃的结构 §2.4.3 共轭体系和共轭效应 §2.3.4 共轭二烯烃的加成反应

本《物理化学》(甲)考试大纲适用于报考中国科学院研究生院化学类专业的硕士研 究生入学考试。《物理化学》是大学本科化学专业的一门重要基础理论课。它是从物质 的物理现象和化学现象的联系入手探求化学变化基本规律的一门科学。物理化学课程的 主要内容包括化学热力学(统计热力学)、化学动力学、电化学、界面化学与胶体化学 等。要求考生熟练掌握物理化学的基本概念、基本原理及计算方法,并具有综合运用所 学知识分析和解决实际问题的能力 考试内容

2.2 烯烃 §2.2.1 烯烃的结构 §2.2.2 烯烃的异构现象 §2.2.3 烯烃的命名 §2.2.4 烯烃的物理性质 §2.2.5 烯烃的化学性质 §2.2.6 亲电加成反应机制及取向 2.3 炔烃 §2.3.1 炔烃的结构 §2.3.2 炔烃的异构现象和命名 §2.3.3 炔烃的化学性质 2.4 二烯烃 §2.4.1 二烯烃分类、异构与命名 §2.4.2 共轭二烯烃的结构 §2.4.3 共轭体系和共轭效应 §2.4.3 共轭二烯烃的加成反应

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等