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11-0教学基本要求 11-1相千光 11-2杨氏双缝干涉实验劳埃德镜 11-3光程薄膜干涉 11-4劈尖牛顿环 11-5迈克耳孙干涉仪 11-6光的衍射 11-7单缝衍射
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第一章 硅的基本性质 第二韋 硅的提纯 第三章 晶体生长原理和基本技术 第四章 硅的体单晶生长和硅片加工 第五章 硅和硅基薄膜的外延生长 第六章 硅材料的测试与分析 第七章 硅中的缺陷 第八章 硅中的杂质
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扼要综述了我国等离子体材料工艺研究的新近进展.内容包括:热等离子体源,等离子冶金、化工、超细粉合成、喷涂;低气压非平衡等离子体源,镀膜,表面改性,等离子浸没离子注入;电晕放电,介质阻挡放电,滑动弧等及其应用.当前,各类薄膜制备和表面改性的研究工作最为活跃
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本文从器件电极、介质层结构、纳米粒子种类阻变机理和柔性弯折等方面,综述了其近年来的研究进展
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§4-1平行平板的多光束干涉 §4-2法布里-珀罗干涉仪和陆末-盖尔克板
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1掌握光程和光程差的概念。 2能确定光垂直入射时,杨氏双缝干涉、薄膜等厚干涉条纹的位置。理解用光的干涉法测量微小量的方法
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超导材料的电磁特性 近十几年来,高温超导材料的研究可谓轰轰烈烈。 YBacuo、 BiSr cacho等系列的超导转变 温度T,超导电流等参数有了很大提高。高温超导线材与薄膜在应用方面也有了很大的突破
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一.图纸的选用 主要有: 1磅纸(机械制图用的图纸) 2聚脂薄膜一一透明、不变形、可洗。坐标格网一般已绘制
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