➢ 研究非线性光学的意义 ➢ 非线性光学的研究内容 ➢ 非线性光学的发展历史和发展趋势 ➢ 非线性光学的典型应用 ➢ 典型的非线性光学过程

通过本章的学习，将能够： 1. 画出典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图； 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的； 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用

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长期以来，在电动机调速领域中，直流调速方案一直占主要地位。 60 年代以后，随着电力电子学与电子技术的发展，使得采用半导体变流技术的交流调 速系统得以实现，特别是 70 年代以来，大规模集成电路和计算机控制技术的发展，为交流 电力传动的进一步开发创造了有利的条件

光(导)纤(维)是20世纪70年代的重要发明之一,它与激光 器、半导体探测器一起构成了新的光学技术,创造了光电子学 的新天地(领域)。光纤的出现产生了光纤通信技术,特别是光纤 在有线通信广的优势越来越突出,它为人类21世纪的通信基础 -信息高速公路奠定了基础,为多媒体(符号、数字、语音 图形和动态图像)通信提供了实现的必需条件。由于光纤只有 许多新的特性,所以不仅在通信方面,而且在其他方面也提出 了许多新的应用方法

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术