1已知质点沿x轴作直线运动,其运 动方程为:x=2+6t2-2t3,式中x的单位 为m,t的单位为s.求:(1)质点在运动 开始后4.0s内位移的大小;(2)质点在该 时间内所通过的路程;(3)t=4s时质点的 速度和加速度

Sec. 5-1 Force Laws Sec. 5-2 Tension and normal forces Sec. 5-3 Friction forces Sec. 5-4 The dynamics of uniform circular motion Sec. 5-5 Time-dependent force Sec. 5-6 Noninertial frames and pseudoforces Sec. 5-7 Limitations of Newton’s law

6.1排水系统的分类和组成 6.1.1排水系统的分类 6.1.2排水系统的组成 6.1.3排水管道组合类型 6.2排水管系中水气流动的物理现象 6.2.1建筑内部排水流动特点 6.2.2水封的作用及其破坏原因 6.2.3横管内水流状态 6.2.4立管内水流状态 6.2.5排水立管在水膜流时的通水能力

4.10全通函数与最小相移函数的z-p分布 1、全通函数、定义、特征与应用 2、最小相移函数 3、零极点分析的物理解释 4、极零点靠近虚轴高阶系统分析

9-1 卤代烃的分类和命名 9-2 卤代烃的来源和制法 9-3 卤代烃的物理性质 9-6 重要代表物 9-4 卤代烃的化学性质 9-5 亲核取代反应历程

一、基本内容 1导体静电感应 (1)导体内部电场强度为零 (2)导体表面电场强度垂直导体表面; (→该点附近处导体表面的电荷面密度) (3)导体是等势体 (4)导体电荷分布在外表面,孤立导体的电荷面密度沿表面分布与各处曲率有关

11.3数据库设计与实施 11.3.1概念结构设计 11.3.2逻辑结构设计 11.3.3物理结构设计 11.3.4数据口口施

11-1 醛和酮的分类和命名 11-2 醛和酮的来源和制法 11-3 醛和酮的物理性质 11-5 重要代表物 11-4 醛和酮的化学性质

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

一、学习要求: (1)正确理解微商的概念; (2)知道微商的几何意义与物理意义; (3)掌握可导与连续的关系; (4)牢固掌握求导的四则运算公式、复合函数求导的法则和反函数求导的法