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一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
文档格式:DOC 文档大小:93KB 文档页数:3
一、填空(本题25分) 1.互导互导增益互阻AR=o 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.GB≥50MHz 4.提高降低加宽增大减小
文档格式:PDF 文档大小:1.47MB 文档页数:55
绝缘老化 绝缘电阻、吸收比、泄漏电流的测量 介质损耗角正切的测量 局部放电及其概念 电压分布的测量 绝缘状态的综合判断
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:4
一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极, B为 极,C为 极
文档格式:PPT 文档大小:65.5KB 文档页数:42
同学意见综述及回应1 事先将讲义放在网上——已遵命! 开展讨论—一时间上有困难,可否在网上建立 论坛?需要技术支持。课上将显著增加提问! 多举事例—一尽量争取
文档格式:PPT 文档大小:1.69MB 文档页数:83
一、单管电流源电路 二、镜像电流源 三、比例电流源 四、微电流电流源 五、负反馈型电流源 六、有源负载放大器
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:4
一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极
文档格式:PPT 文档大小:6.46MB 文档页数:205
复习内容:触发器和时序逻辑电路、门电路和组合逻辑电路、集成运算放大器、放大器基础、电路的暂态、交流电路基本分析方法、直流电路分析方法
文档格式:PPT 文档大小:1.24MB 文档页数:67
7.1 概述 7.2 基本运算电路 7.3 模拟乘法器及其在运算电路中的应用 7.4 有源滤波电路 7.5 电子信息系统预处理中的放大电路
文档格式:DOC 文档大小:126.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 1 分,共 15 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要提高放大电路的负载能力,可引入( ) A.串联负反馈 B.电压负反馈 C.并联负反馈 D.电流负反馈
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