第一节 磁路的基本概念和定律 第二节 直流铁心线圈与直流电磁铁 第三节 交流铁心线圈与交流电磁铁 第四节 单相变压器

2.8.1直接耦合放大电路的特殊问题 2.81.1级间直流电位匹配问题

一.直流工作点分析 电容开路、电感短路、激励源取直流电平值 结果包含直流工作电、小信号线型化参数值。 结果保存在输出文件中

1.1电路 1.2 电路的基本物理量 1.3 基尔霍夫定律 1.4 电压源和电流源 1.5 电路的等效变换 1.6 直流电路中的几个问题

6—1 有一线圈匝数为 1500 匝，套在铸刚制成的闭合铁心上，铁心的截面积为 10CM2，长度为 75CM。求： （1） 如果要在铁心中产生 0.001Wb 的磁通，线圈中应通入多大的直流电流？

 真空下利用自耗电极与被熔炼金属之间产生的高温直流电弧使自耗电极熔化和精炼；  可以创造一种低氧势、高温的熔炼条件；  熔炼铂、钽、钨等难熔的或钛、钛合金、高温合金和特殊钢的生产；

建立了矩形截面包覆材料交流功率损耗的数值计算模型,分析了铜包铝导电扁排断面形状结构对交流功率损耗的影响.结果表明:当断面积为S=600mm2时,功率损耗系数随扁排宽厚比b/a的增大而增加;断面积为S=800mm2和1000mm2时,随宽厚比b/a的增加,功率损耗系数先增大后减小;而当断面积为S=1200mm2时,随宽厚比b/a的增大,功率损耗系数减小且减小趋势逐渐变缓.当扁排厚度为a=10mm,断面积S为800~1200mm2时,交流功率损耗随窄边和宽边的铜层厚度比(δh/δw=0.5~3.0)增加而减小;铜层厚度之比对功率损耗的影响随包覆层面积比(SA=15%~45%)的增加而增大.在单位长度直流电阻和载流量与铜扁排相等时,选择合适的扁排断面形状结构,铜包铝扁排可较为明显地降低功率损耗

为制备高质量的声表面波器件,探索金刚石薄膜的沉积工艺,采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积技术和特殊的复合衬底技术,在单晶硅衬底上制备了大面积、高质量的金刚石薄膜,成功解决了单晶硅衬底在沉积金刚石薄膜过程中产生的变形问题.研究了甲烷浓度和沉积温度对金刚石薄膜质量的影响,优化了沉积工艺.结果表明,甲烷气体体积分数为1.8%时,晶粒最为细小,同时金刚石薄膜的表面粗糙度最小,表面最为光滑.衬底温度为1000℃时生长的金刚石薄膜的晶粒尺寸较小

本研究应用Spalding数值计算方法,移植顶吹转炉成功的数模与计算软件,加入电磁场洛仑兹力,在理论分析的基础上研制了30t底电极直流电弧炉熔池电磁流场温度场数学模型,开发了计算软件,计算了流场、温度场

采用直流电沉积工艺,制备了平均晶粒尺寸为56nm的致密纳米晶铜.室温下进行单向拉伸实验,发现纳米晶铜的强度和韧性均随应变速率的升高而增大,特别是韧性的速率敏感十分显著.应变速率由1.04×10-5s-1升至1.04s-1时,断裂应变由23.2%增至39.4%,同时抗拉强度由309MPa增至451MPa.这一现象可归因于两个方面:首先,纳米晶铜的应变硬化行为随应变速率的升高而增大,从而使其均匀变形阶段的应变增加;其次,高应变速率下纳米晶铜颈缩时发生晶粒转动,这有助于其失稳阶段的应变增加