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近年来,随着深亚微米工艺的出现,硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道,片上系统(system on chip)今天已从概念成为现实。然而,在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事
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结构化设计是由Mead和 Conway首先提出来 的,其目的是让设计者能够直接参加芯片 设计以实现高性能系统。在结构化设计中 采用以下几方面的技术
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1、存储器概述 外部特性,性能参数,层次结构 2、静态存储器和动态存储器存储单元构成 位存储单元及存储阵列,多端口SRAM,读写时序 3、半导体ROM存储器 MROM, PROM, EProM, EEPROM, FLASH 4、存储器芯片构成以及存储器主要技术指标 5、存储器扩展技术
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半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍
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本章介绍了微机系统的内部存储器,包括各种ROM和RAM芯片的特点和功能等。 5.1系统内部存储器 5.2RM存储器 5.3RAM存储器 5.4内存条和高速缓存
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高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯 片并获得收益的关键所在。本章将简单介绍影 响良品率的主要工艺及材料要素,并对良品率 测量点做出阐述。 维持及提高良品率对半导体工业至关重要 ,因为半导体制造工艺的复杂性,以及生产一 个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程, 是导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因 。这两方面的原因使得通常只有20%至80%的芯 片能够完成生产线全过程,成为成品出货
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光刻的目的和意义第四章已做过简单的描 述,这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准 备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性
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存储器是大多数数字系统和计算机中不可缺 少的部分,本章首先通过实训使读者了解电可编 程只读存储器 EPROM的使用方法,然后详细介绍 RAM和ROM的种类及工作原理,最后介绍几种常用 的集成存储器芯片以及存储器的具体应用
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概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备
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7.1 并行接口概述 7.2 可编程并行接口芯片82C55 7.3 并行打印机接口标准
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