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中国矿业大学:《电工学(电子技术)》课程电子教案(PPT教学课件)第14章 半导体器件
文档格式:PPTX 文档大小:54.82MB 文档页数:57
1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件
新疆大学:《电子技术基础》课程PPT教学课件(模拟电子)半导体二极管及其基本电路
文档格式:PPS 文档大小:1.34MB 文档页数:48
3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性
《半导体物理》课程教学资源(习题)第五章 非平衡载流子
文档格式:DOC 文档大小:47.5KB 文档页数:2
例1.某p型半导体掺杂浓度NA=10cm3少子寿命=10us在均匀光的照射下产 生非平衡载流子,其产生率g=1018/cm3·s试计算室温时光照情况下的费米能级 并和原来无光照时的费米能级比较。设本征载流子浓度=1010cm-3 p. =N, =n, exp(-EE) 思路与解:(1)无光照时空穴浓度
《半导体物理》课程教学资源(习题)第四章 半导体的导电性
文档格式:DOC 文档大小:53KB 文档页数:2
例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化
《半导体物理》课程教学资源(习题)第一章 半导体中的电子状态
文档格式:DOC 文档大小:55.5KB 文档页数:3
例1.证明对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反。即: v(k)=-v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零 思路与解:K状态电子的速度为 v(k)= 同理,一K状态电子的速度则为
《化学物理学报》:半导体光催化研究进展与展望
文档格式:PDF 文档大小:322.89KB 文档页数:11
评述了目前半导体光催化在国内外的研究概况,并对存在的问题和未来的发展动向进行简要分析.列举了近30年来关于光催化研究的部分成果,内容涉及光催化剂的制备(包括新催化剂的开发,TiO2、ZnO、CdS等光催化剂的各种改性或修饰)、光催化作用机理研究、光催化技术的工程化、光催化技术的各种应用研究和产品开发等等从基础到应用研究的各个方面
《催化学报》:二氧化钛的尺寸与光催化活性的关系
文档格式:PDF 文档大小:248.12KB 文档页数:5
采用溶胶2凝胶法控制制备了晶粒尺寸从10nm到80nm的二氧化钛纳米半导体.用光催化降解苯酚作为模型反应,结合XRD,DRS,FS等表征手段,研究了纳米TiO2的制备条件与其晶粒尺寸和相结构的关系,探讨了纳米TiO2尺寸效应对其光催化活性的影响.发现当晶粒尺寸小于16nm时,二氧化钛半导体具有了明显的尺寸量子效应.尺寸量子效应对提高TiO2光催化降解苯酚的催化活性起了极为重要的作用
武汉理工大学:《材料物理学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 导电物理 5.4 半导体物理 5.4.1半导体与p-n结
文档格式:PPT 文档大小:697.01KB 文档页数:32
武汉理工大学:《材料物理学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 导电物理 5.4 半导体物理 5.4.1半导体与p-n结
北京大学:《半导体物理学 Physics of Semiconductors》课程教学资源(教案讲稿)第七章 金属、氧化物和半导体的MOS结构
文档格式:PDF 文档大小:698.31KB 文档页数:74
§7.1 理想的MOS结构 §7.2 MOS结构的CV特性 §7.3 非理想(实际)MOS结构
《低频电子线路》课程PPT教学课件:第一章 常用半导体器件(2/4)
文档格式:PPT 文档大小:0.98MB 文档页数:21
1.2半导体二极管 1.2.4二极管的等效电路 等效的目的:将非线性的二极管线性化,以便分析和计算。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路
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