ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

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ARM( Advanced rIsC Machines)是微处理器行业的一家知名企业,该企业设计了 大量高性能、廉价、耗能低的RISC处理器、相关技术及软件。技术具有性能高、成本 低和能耗省的特点,适用于多种领域,比如嵌入控制、消费/教育类多媒体、DSP和移 动式应用等。 ANM将其技术授权给世界上许多著名的半导体、软件和OEM厂商,每个厂商得到的 都是独一无二的ARM相关技术及服务,利用这种合作关系,ARM很快成为许多全球性RISC 标准的缔造者

1、存储器概述 外部特性,性能参数,层次结构 2、静态存储器和动态存储器存储单元构成 位存储单元及存储阵列,多端口SRAM,读写时序 3、半导体ROM存储器 MROM, PROM, EProM, EEPROM, FLASH 4、存储器芯片构成以及存储器主要技术指标 5、存储器扩展技术