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与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

6.7.1 共源极放大电路 合适的静态工作点Q

6.4.1 温度对工作点的影响 工作点稳定的典型电路——射极偏置电路

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