一、外光电效应及器件： 1、外光电效应：在光线的作用下，物体内的电子吸收光的能量逸出物体表面向

六十年代以来，在微波工程和微波技术上，出现了一次不小的革命，即所谓MIC(MicrowaveIntegratedCircuit)微波集成电路。其特色是体积小、功能多、频带宽，但承受功率小。因此被广泛用于接收机和小功率元件中，并都传输TEM波。作为这一革命的“过渡人物”是带状线(Stripline)。它可以看作是同轴线的变形

近年来，随着深亚微米工艺的出现，硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道，片上系统（system on chip）今天已从概念成为现实。然而，在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事

这种情况属于移动用户被呼的情况其基本过程为:固 定网络用户A拨打GSM网用户B的 MSISDN号码(如 139H1H2H3ABCD),A所处的本地交换机根据此号码 (139)与GSM网的相应入口交换局(GMSC)建立链路,并将 此号码传送给GMSC.GMSC据此号码(H1H2H3ABCD) 分析出B的HLR,即向该HLR发送 MSISDN此号码,并向其 索要B的漫游号码(MSRN)

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建设项目经济评价是在完成市场调查与预测、拟建规模、营销策划、资源优化、技术 方案论证、投资估算与资金筹措等可行性分析的基础上,对拟建项目各方案投入与产出的 基础数据进行推测、估算,对拟建项目各方案进行评价和选优的过程。经济评价的工作成 果融汇了可行性研究的结论性意见和建议是投资主体决策的重要依据

对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验，借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分，但强度很弱，高斯晶粒偏离角在10o以上；900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒；950~1000℃时高斯晶粒异常长大，偏离角3o~6o；在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势

本书是为配合清华大学电子学教研组编童诗白和华成英主编的《模拟电子技术基础》(第三版)教材而编写的教师手册。手册包括文字和光盘两部分。文字部分主要有:各章内容主线、重点和难点讲课要点和知识的扩展等,此外还给出了各章自测题和习题的参考答案,以方便使用者速查;光盘中的内容有:教材各章正文的电路图、各章自测题和习题详解或必要说明,可供教师制作多媒体或答疑之需

一、铸造零件的工艺结构 1．拔模斜度 用铸造方法制造零件的毛坯时，为了便于将木模从砂型中取出，一般沿木模拔模的方向作成约 1： 20 的斜度，叫做拔模斜度。因而铸件上也有相应的斜度，如图（a）所示。这种斜度在图上可以不标 注，也可不画出，如图（b）所示。必要时，可在技术要求中注明

一、装配图的作用 装配图是表达机器或部件的图样。在设计新产品或改进原有产品时，一般都要画出它的装配图，根 据装配图画出零件图，零件制成后，再按装配图装配成机器或部件。因此装配图是表达设计意图，表达 部件或机器的工作原理、零件间的装配关系以及检验、安装和维修时的重要技术文件