针对亚微米尺度晶体元器件在加工和服役中出现的反常力学行为和动态变形等问题，基于离散位错动力学理论建立了单晶铜塑性变形过程的二维离散位错动力学模型。该模型考虑外加载荷、位错间相互力和自由表面镜像力对位错的作用机制，引入了截断位错速度准则。与微压缩实验对比验证了模型的正确性，并且能够描述力加载描述的位错雪崩现象。应用该模型分析了不同加载方式和应变率下位错演化及力学行为，结果表明：当外部约束为力加载和位移加载时，应力应变曲线分别呈现出台阶状的应变突增和锯齿状的应力陡降，位错雪崩效应的内在机制则分别归结为位错速度的随机性和位错源开动的间歇性；应变率在102～4×104 s?1范围内，单晶铜屈服应力的应变率敏感性发生改变，位错演化特征由单滑移转变为多滑移面激活的均匀变形，位错增殖逐渐代替位错源激活作为流动应力的主导机制

8.1力学相对性原理伽利略变换 一、力学相对性原理 力学定律在一切惯性系中数学形式不变

一、纤维和纱线的力学性质的基础知识 二、纤维和纱线力学性质的实际应用 三、纤维和纱线力学性质的测试

❖什么是中药药代动力学 ❖中药药代动力学的发展 ❖目前研究的内容 ❖研究的意义 ❖主要研究方法 ❖限制因素 ❖对策及展望

4.1 均相敞开体系的热力学基本关系 4.2 偏摩尔性质 4.4 逸度和逸度系数 4.5 理想溶液 4.6 活度及活度系数 4.7 活度系数模型

3.1 热力学性质间的关系 3.2 焓变和熵变的计算 3.3 纯流体的热力学性质图和表

一、分批发酵动力学二、连续发酵动力学 三、分批补料发酵动力学

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

绪论 §0.1 材料加工在国民经济中的地位特点 §0.2 材料加工的内涵 §0.3 金属塑性加工 §0.4 塑性加工理论的发展概况 §0.5 本课程的任务 §0.6 金属材料加工的主要方向 §0.7 几个重要的概念 金属塑性加工原理 Principle of Plastic Deformation in Metal Processing 第一篇 塑性变形力学基础 第1章 应力分析与应变分析 §1.1 应力与点的应力状态 §1.2 点的应力状态分析 §1.3 应力张量的分解与几何表示 §1.4 应力平衡微分方程 §1.5 应变与位移关系方程 §1.6 点的应变状态 §1.7 应变增量 §1.8 应变速度张量 §1.9 主应变图与变形程度表示 第2章 金属塑性变形的物性方程 §2.1 金属塑性变形过程和力学特点 §2.2 塑性条件方程 §2.3 塑性应力应变关系（本构关系） §2.4 变形抗力曲线与加工硬化 §2.5 影响变形抗力的因素 工程塑性理论 第二篇 金属塑性变形力学解析方法 第3章 金属塑性加工变形力的工程法解析 §3.1 工程法及其要点 §3.2 直角坐标平面应变问题解析 §3.3 圆柱坐标轴对称问题 §3.4 极坐标平面应变问题解析 §3.5 球坐标轴对称问题的解析 第4章 滑移线理论及应用 §4.1 概述 §4.2 平面应变问题和滑移线场 §4.3 汉盖（Hencky）应力方程——滑移线的沿线力学方程 §4.4 滑移线的几何性质 §4.5 应力边界条件和滑移线场的绘制 §4.6 三角形均匀场与简单扇形场 第5章 功平衡法和上限法及其应用 §5.1 功平衡法 §5.2 极值原理及上限法 §5.3 速度间断面及其速度特性 §5.4 Johnson上限模式及应用 §5.5 Aviztur上限模式及应用

• １．了解材料的主要力学性能指标：屈服强度、抗拉强度、伸长率、断面收缩率、硬度、冲击韧性、疲劳强度、断裂韧性等力学性能及其测试原理； • ２．强调各种力学性能指标的生产实际意义； • ３．了解工程材料的物理性能、化学性能及工艺性能。 第一节 强度和塑性 第二节 硬度