一、半导体三极管 二、放大电路的图解分析法 三、放大电路的小信号模型分析法 四、放大电路工作点稳定 五、共集电极和共基极电路 六、放大电路的频率响应 七、放大电路的瞬态响应

1.2半导体二极管 1.2.4二极管的等效电路 等效的目的:将非线性的二极管线性化,以便分析和计算。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路

第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

第一讲绪论 第二讲半导体基础知识 第三讲半导体二极管 第四讲晶体三极管 第五讲共射放大电路的工作原理 第六讲放大电路的分析方法 第七讲静态工作点的稳定 第八讲晶体管放大电路的三种接法 第九讲场效应管及其放大电路 第十讲多级放大电路

一、半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路(LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提高一倍的速度向前发展。存储器是电子计算机及数字系统中不可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数据､系统指令､资料及运算程序等。 二、存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度

第1章半导体二极管 1.3二极管电路的分析方法 1.3.1理想二极管及二极管特性的折线近似 1.3.2图解法和微变等效电路法

7.1半导体存储器的分类 7.2存储器的组成 7.3存储器的主要技术指标 7.4只读存储器(ROM) 7.5随机存储器(RAM) 7.6存储器的扩展

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

▪1、PN结的原理和二极管的等效电路。 ▪2、半导体内部载流子运动规律。 ▪3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应 管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线