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第一部分 宽带天线  天线带宽的定义及展宽带宽的一般方法  两种宽带匹配网络介绍  基于体积/结构设计的宽带天线  天线加载技术  部分行波/频率无关天线 第二部分 移动通信天线  移动终端天线  一般性技术要求  小型化及宽带化措施  MIMO及案例  终端天线测试  基站天线  一般技术性要求  低频及高频单元  阵面布局
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7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术
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采用物理化学相分析技术研究了高氮奥氏体不锈钢固溶时效后的碳、氮化物析出行为,确定了析出相的类型、粒度分布、含量及组成结构式.结果表明:氮含量低的1Cr22Mn15N0.6以M23C6型碳化物析出为主,氮含量高的1Cr22Mn15N0.9以(CrFe)2N1-x型氮化物析出为主,高氮奥氏体不锈钢中析出物的总量随时效时间的延长而增加
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利用热力学软件计算了齿轮钢氧含量与夹杂物成分控制、夹杂物转变条件.结果表明,20CrMoH钢中具有较高塑性的非金属夹杂物成分(质量分数)为:SiO2 0%~10%、Al2O3 22%~55%、CaO 42%~60%、MgO 5%~10%,与之平衡的钢液中铝的质量分数大于0.020%,钙的质量分数大于0.7×10-6,a[O]为0.0005%左右;选择组成为CaO>40%、Al2O3 ≤ 37%、MgO 10%、(% CaO+% MgO)/% SiO2为10、SiO2含量尽量低的渣系,钢中Al2O3、MgO·Al2O3夹杂物可转变为低熔点的钙铝酸盐.试验发现LF和RH精炼结束时钢液T[O]含量均随炉渣碱度增加而降低,采用高Al2O3含量的炉渣对降低T[O]含量有利;精炼过程钢液中夹杂物按\Al2O3系夹杂物→MgO-Al2O3系夹杂物→CaO-MgO-Al2O3系夹杂物\顺序发生转变,其中MgO-Al2O3系夹杂物向CaO-MgO-Al2O3系夹杂物的转变是由外向内逐步进行的,转变速度相对较慢;降低T[O]含量有利于生成较低熔点的CaO-MgO-Al2O3系夹杂物
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为了获得烧结钢的致密表面层以改善零件的疲劳性能和耐腐蚀性,研究一种先对烧结铁压坯化学处理而后烧结的技术并进行了试验.试验中选择了高(>7.0g·cm-3),中(6.6~6.7 g·cm-3),低(6.2~6.4g·cm-3)3种不同密度的压坯施镀.试验发现中密度烧结铁通过自催化镍-磷化学镀和强化烧结可获得致密的合金化表层显微组织.用SEM/EDS分析了烧结样品表层元素成分及分布形貌,发现镍元素由试样表面向内呈均匀梯度分布,在高密度低孔隙度区扩散距离可达200 μm以上,在较低密度高孔隙度区集中分布于孔洞表面附近;而磷元素除使基体孔洞球化外,还以Fe2P形式偏聚于铁基体中.这样的显微组织有可能改善零件的疲劳性能和耐腐蚀性
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教学目的、要求: 1.掌握集成电路运算放大器中的电流源 2.掌握差分式放大电路参数计算 3.了解集成电路运算放大器工作原理 4.了解集成电路运算放大器的主要参数的应用 5.了解专用型集成电路运算放大器的特点 6.了解放大电路中的噪声与干扰的机理 章节内容: 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.2 差分式放大电路
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采用光学金相技术结合交流阻抗测量,分析了三种低合金钢在模拟的沿海大气环境中的初期腐蚀行为.实验发现,显微组织直接决定钢的初期腐蚀行为并间接影响长期腐蚀行为.在腐蚀初期,铁素体钢中的大角晶界易于被择优腐蚀,而贝氏体内的小角晶界的择优腐蚀趋势较弱,铁素体+珠光体钢的择优腐蚀集中于珠光体及其边界.铁素体裸钢有较强的耐腐蚀性,但其锈层电阻随腐蚀时间增加产生的增量较小;贝氏体与铁素体+珠光体裸钢的耐腐蚀性较差,但其锈层电阻随腐蚀时间增加产生的增量较大,长期腐蚀性能更优.这些结果表明,在适当合金化后,贝氏体作为新型低成本高强度耐候钢的基本组织极具应用潜力
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>>4.1 示波器的使用>>4.2 函数发生器、晶体管毫伏表的使用>>4.3 直流稳压电源、万用表的使用 >>4.4 叠加定理的验证>>4.5 一阶电路时域响应的测量>>4.6 串联RLC电路时域响应的测试 >>4.7 正弦稳态时R、L、C电压电流相位关系的测试>>4.8 RC低通滤波器的设计与测试 >>4.9 二阶RC高通滤波器的设计与测试>>4.10 RLC串联谐振电路>>4.11 RC带通滤波器的设计与测试 一、实验目的
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6.1 放大电路的频率响应 6.2 单时间常数RC电路的频率响应 6.3 共源和共射放大电路的低频响应 6.4 共源和共射放大电路的高频响应 6.5 共栅和共基、共漏和共集放大电路的高频响应 6.6 扩展放大电路通频带的方法 6.7 多级放大电路的频率响应 *6.8 单级放大电路的瞬态响应
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§11.1 复位 §11.2 单片机的时钟 11.2.1 时钟源选择 11.2.2 内部时钟分频和分频寄存器 §11.3 单片机的电源检测与控制 11.3.1 单片机的低电压检测 11.3.2 省电方式
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