(1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处的电场强度的方向都与导体表面垂直导体表面是等势面

§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络

教学目标： 1、掌握光的各种干涉装置和干涉仪，光的干涉现象及其应用。 2、掌握分波前法，分振幅法分解波列的方法。 3、掌握光场的空间相干性和时间相干性概念。 §1 分波前干涉装置 光场的空间相干性 §2 薄膜干涉（一）——等厚条纹 §3 薄膜干涉（二）——等倾条纹 第三章 干涉装置 光场的时空相干性

静态场的工程应用 一、静态场特性 二、泊松方程和拉普拉斯方程 三、静态场的重要原理和定理 四、镜像法 五、分离变量法 六、复变函数法

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

AMCM96问题-A噪音场中潜艇的探测 海洋中存在着背景噪音场,地展引起的摄动,海面上航行的船只,以及生 活在大海中的哺乳动物都是具有不同频率范围的噪音源。我们要考虑如何利用 这种背景噪音测定大的移动目标,例如海面下的潜艇。假定潜艇不产生影响测 定的噪音,只利用测量背景噪音场的变化所得到的信息,研制一种能够探测出 移动潜艇的存在,并测出它的速度、尺寸及航行方向酌方法。从一个固定的频 率和振幅的噪音着手进行

§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

一、静电场力所做的功 二、静电场的环路定理

（1） 曲线上每一点切线方向为该点电场方向, （2） 通过垂直于电场方向单位面积电场线数为

 1 库仑定律和电场强度  2 真空中的高斯定理  3 电位  4 介质极化与高斯定理的一般形式  5 静电场的基本方程和边界条件  6 电容  7 静电场的能量