北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论4

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论3

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论2

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论1

2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

一、掌握描述静电场的两个物理量电场强度和电势的概念,理解电场强度E是矢量点函数,而电势V则是标量点函数. 二、理解高斯定理及静电场的环路定理是静电场的两个重要定理,它们表明静电场是有源场和保守场 三、掌握用点电荷电场强度和叠加原理以及高斯定理求解带电系统电场强度的方法;并能用电场强度与电势梯度的关系求解较简单带电系统的电场强度. 四、掌握用点电荷和叠加原理以及电势的定义式求解带电系统电势的方法. 五、了解电偶极子概念,能计算电偶极子在均匀电场中的受力和运动

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（考试试卷）模拟集成电路原理与设计

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