一、成核 成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶 芽,这一相变过程中体系自由能的变化为: g=aG+△G 式中△G为新相形成时体自由能的变化,且△G0 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相转 变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另一 方面又由于增加了液-固界面而使体系自由能升高

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

9.1 半导体的导电特性 9.2 二极管 9.3 稳压二极管 9.4 晶体管

2-6-1 固溶体(Solid Solution) 2-6-2 晶体结构缺陷(Defects in Crystals) 2-6-3 非晶体 (Noncrystalline) 2-6-4 扩散(Diffusion)

《医学电子仪器原理与技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第二章 放大器的基本原理 第一节 晶体二极管 第二节 晶体三极管

4.1 光束的调制原理概述 4.1.1 振幅调制 4.1.2频率调制和相位调制 4.1.3 强度调制 4.1.4 模拟调制与数字调制 4.1.5脉冲编码调制 4.2 直接调制 4.2.1半导体激光器（LD）直接调制的原理 4.2.2半导体发光二极管（LED）的调制特性 4.2.3半导体光源的模拟调制 4.2.4半导体光源的脉冲编码数字调制 4.3半导体激光器的直接调制特性 4.3.1 调制特性 4.3.2 温度特性与自动温度控制 4.3.3 纵模性质 4.3.4 半导体激光器调制特性的实验研究 4.4 LiNbO3晶体电光强度调制特性 4.4.1 LiNBO3晶体横向强度调制原理 4.4.2直流偏压工作点对输出特性的影响 4.4.3 1/4波片对输出特性的影响 4.4.4 调制特性的实验研究 4.5 法拉第效应 4.5.1 实验研究 4.5.2 法拉第效应的应用 4.6 声光技术的发展动态及其应用 4.6.1 声光技术的发展动态 4.6.2 声光技术在激光技术领域中的应用 4.6.3 声光器件在军事中的应用

一、单形 1.单形的概念 是由对称要素联系起来的一组晶面的组合。也 就是说,单形是一个晶体上能够由该晶体的所有 对称要素操作而使它们相互重复的一组晶面。 在理想的情况下,同一单形内的晶面应该同形 等大。例如:立方体、八面体、菱形十二面体和 四角三八面体都是单形

4.1 聚合物晶体结构 4.2 X光衍射法 4.3 结晶聚合物模型 4.4 晶片、晶叠、球晶与其它晶体形态 4.5 熔融与结晶热力学 4.6 结晶动力学 4.7 结晶度测定 4.8 取向 4.9 高分子液晶基础

晶体中电子在磁场中的运动时,采用有效质量近似后,电子做螺旋运动,其回转频率:

材料的结合键 1、五种结合键 2、结合键与材料性能的关系 纯金属的晶体结构 1、晶格、晶面、晶向等概念 2、常见的三种金属晶格 3、立方晶格晶面指数与晶向指数的求法 4、晶体缺陷及其对性能的影响