4.1 电力网络的数学模型 4.2 功率方程和节点分类 4.3 牛顿-拉夫逊法潮流计算 4.4 P-Q分解法潮流计算 4.5 Matlab 在电力系统潮流分析中的应用举例

一、复习提问 1.描述任务二并画出其硬件电路。 2. MCS-51的有哪些数据传送类指令？ 二、新授 由上节课任务二控制彩灯数据有的直接在指令中提供了，但如何在片内传送？

第7章模拟信号的数字传输 7.1引言 7.2抽样定理 7.3脉冲振幅调制 7.4模拟信号的量化 7.5脉冲编码调制 7.6差分脉冲编码调制 7.7增量调制 7.8DPCM中的量化噪声 7.9时分复用和多路数字电话系统

2.0 数据通道概述 2.1 数据采集系统的组成结构 2.2 信号调理 2.2.1 传感器的选用 2.2.2 运用前置放大器的依据 2.2.3 信号调理通道中的常用放大器 2.2.4 V/I和I/V转换电路

第6章电子技术中常用半导体器件 6.1半导体的基本知识 6.2半导体二极管 6.3特殊二极管 6.4双极型二极管 6.5单极型三极管

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

在奥赛考纲中,静电学知识点数目不算多,总数和高考考纲基本相同,但在个别知识点上 奧赛的要求显然更加深化了:如非匀强电场中电势的计算、电容器的连接和静电能计算、电介质 的极化等。在处理物理问题的方法上,对无限分割和叠加原理提出了更高的要求 如果把静电场的问题分为两部分,那就是电场本身的问题、和对场中带电体的研究,高考考 纲比较注重第二部分中带电粒子的运动问题,而奥赛考纲更注重第一部分和第二部分中的静态问 题。也就是说,奥赛关注的是电场中更本质的内容,关注的是纵向的深化和而非横向的综合

为了让计算机处理各种数据,首先就应该把源数据输 入到计算机中;计算机处理结束后,再将目标数据信息 以人能够识别的方式输出。C语言中的输入输出操作,是 由C语言编译系统提供的库函数来实现。 3.1格式化输出 printf函数 3.2格式化输入0函数 3.3单个字符输getchar入输出和 putchar函数 3.4顺序结构程序设计 良好的源程序书写风格——顺序程序段左对齐

油气工业中溴盐完井液的使用极易导致油套管腐蚀失效的发生, 尤其是局部腐蚀风险.针对这一问题, 采用高温高压腐蚀模拟试验、扫描电镜观察与分析、电化学测试等试验研究方法, 研究了高温高压环境下不同浓度溴盐溶液对普通13Cr和超级13Cr两种典型油套管材腐蚀行为的影响.结果表明: 从平均腐蚀速率来看, 两种13Cr管材在三种浓度溴盐溶液中均表现出较好的耐蚀性能, 属于轻度或中度腐蚀, 但从局部腐蚀速率来看, 两种材料均达到严重或极严重腐蚀; 随着溴盐浓度的提高, 普通13Cr的自腐蚀电位和点蚀电位均明显负移, 对应材料的平均腐蚀速率和局部腐蚀速率均明显上升, 而超级13Cr仅点蚀电位明显负移, 自腐蚀电位则相对稳定, 对应其平均腐蚀速率变化幅度较小, 局部腐蚀速率则明显上升, 这说明相比普通13Cr, 超级13Cr对溴盐溶液具有更强的整体耐受能力, 但局部腐蚀敏感性仍然较高; 激光共聚焦(LSCM)三维表征结果表明, 在高质量浓度溴盐溶液(1.40 g·cm-3)中, 不论是普通13Cr还是超级13Cr都有明显的点蚀倾向, 这主要与溶液中高浓度的侵蚀性阴离子Br-有关, 相比于普通13Cr, 超级13Cr的点蚀敏感性相对较低, 但其点蚀风险仍不可忽视

所谓编译预处理是指,在对源程序进行编译之前,先 对源程序中的编译预处理命令进行处理;然后再将处理的 结果,和源程序一起进行编译,以得到目标代码。 8.1宏定义与符号常量 8.2文件包含 8.3条件编译