点击切换搜索课件文库搜索结果(403)
文档格式:PDF 文档大小:116.08KB 文档页数:3
1. 观察垂直井筒中出现的各种流型,掌握流型判别方法; 2. 验证垂直井筒多相管流压力分布计算模型; 3. 了解自喷及气举采油的举升原理
文档格式:PPT 文档大小:953.5KB 文档页数:30
前面讨论的组合逻辑电路的分析和设计, 是假定输入输出处于稳定的逻辑电平下进行 的。对于实际电路来说,当所有的输入信号 逻辑电平发生变化的瞬间,电路的输出可能 出现违背稳态下的逻辑关系,尽管这种不希 望有的输出是暂时的,但它仍会导致被控对 象的误动作。为此,组合电路设计完成后要 进行竞争与冒险分析
文档格式:PPT 文档大小:6.43MB 文档页数:36
1895年11月8日德国物理学家 伦琴在阴极射线实验中,偶然 发现附近桌上的荧光屏上发出 了光,伦琴用一张黑纸挡住管 子,荧光仍存在,而用一片金 属板就挡住了,他称这种射线 为X射线 伦琴(1845--1923)
文档格式:DOC 文档大小:32.5KB 文档页数:5
2005年9月28日,审计署发布2005年第3号审计结果公告。其中,商务 部所属部分单位滞留配额招标收入7.5亿元的消息引起公众关注。 “配额招标资金滞留反映出政府部门在中央外贸发展基金管理上的纰漏。” 一位接近审计工作的人士称。中央外贸发展基金是中国政府促进出口的主要资 金来源,而出口商品配额招标收入(以下简称配额招标收入)又是该基金的主 要来源。 值得关注的是,在滞留配额招标资金之外,中央外贸发展基金在收入来 源、支出方式两环节的问题也首次被审计部门查出
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
文档格式:PPT 文档大小:9.77MB 文档页数:47
先天性心脏病(congenital heart disease)指出生时就存在的心血管结构或功能的异常,是胎儿时期心血管系统发育异常或发育障碍以及出生后应当退化的组织未能退化所造成的心血管畸形
文档格式:PPT 文档大小:132KB 文档页数:25
0世纪90年代以来,网络得到迅速的使用和推广发展,网络 的使用范围越来越广,同时安全问题也面临着严重的危机和 挑战,单纯依靠技术水平的提高来保护安全不可能真正遏制 网络破坏,必须迅速出台相应的法律法规来约束和管理网络 的安全问题,让广大的网络使用者遵循一定的“游戏规则
文档格式:PDF 文档大小:426KB 文档页数:5
根据教师队伍发展规划的总目标,运用数学模型理论,建立优化教师队伍结构的目标管理系统,寻求一种使教师队伍达到规划目标的数量化控制方法,并提出相应的措施,促使教师队伍的管理逐步科学化.
文档格式:PDF 文档大小:949.97KB 文档页数:9
管道内气液两相流广泛存在于核工业、化工业以及石油运输等多个领域中,其诱发的流激力会引起管道振动,导致管系的疲劳破坏。本文分别从流激力发生机理、影响因素及计算模型出发,对流激力研究进展进行综述。研究表明:动量通量的改变被认为是引起流激力的最主要原因,管道内压力波动、液塞的脉动冲击、起伏不定的液波等因素同样会对流激力的产生做出贡献,针对不同流型建立完整的流激力发生机理的理论体系,是流激力机理研究方面的重点发展方向。在不同流型下,流激力展现出不同的波动特征,目前研究所针对的管道大多是单独的水平管或立管管道,开展多种集输–立管管道系统中流激力的研究将具有重要的工程意义。关于流激力经验模型和理论模型的建立逐渐完善,计算流体力学(Computational fluid dynamics,简称CFD)软件能够同时对流场和流激力大小进行模拟计算,优势明显,是一种重要的计算手段,对CFD软件计算结果的准确性进行研究,对比优选有效的CFD计算模拟方法,将具有重要科研价值
文档格式:PPT 文档大小:986KB 文档页数:38
前面讨论的组合逻辑电路的分析和设计, 是假定输入输出处于稳定的逻辑电平下进行 的。对于实际电路来说,当所有的输入信号 逻辑电平发生变化的瞬间,电路的输出可能 出现违背稳态下的逻辑关系,尽管这种不希 望有的输出是暂时的,但它仍会导致被控对 象的误动作。为此,组合电路设计完成后要 进行竞争与冒险分析
首页上页3435363738394041下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 403 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有