一、 电路模型与电路中基本变量 在集总假设的条件下，定义一些理想电路元件(如R、L、C 等)，这些理想电路元件在电路中只起一种电磁性能作用，它 有精确的数学解析式描述，也规定有模型表示符号。对实际的 元器件， 根据它应用的条件及所表现出的主要物理性能，对 其作某种近似与理想化(要有实际工程观点)，用所定义的一种 或几种理想元件模型的组合连接，构成实际元器件的电路模型

综合工具将 HDL 程序转换为 EDA 工具可以识别的形式，对应 为具体的电路结构形式；在采用 PLD 进行设计时，综合工具 可以将设计映射到具体的 CPLD 或 FPGA 器件上，对应得到与 器件相关的技术实现方式；

5.1概述 5.1.1 MOS管的基本特性 5.1.2CMOS逻辑电路 5.2半导体存储器 5.2.1随机存取存储器 5.2.2只读存储器 5.3可编逻辑器件 5.3.1可编程逻辑阵列 5.3.2可编程阵列逻辑 5.3.3其它可编程逻辑器件

1.1 半导体器件基础 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件

外光电效应: 在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。 如光电管、光电倍增管 内光电效应: 在光线作用下能使物体电阻率改变的现象， 如光敏电阻等属于这类光电器件。 阻挡层光电效应(光生伏特效应): 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动 势的现象

3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型

内容主要有： 半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、参数 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管和场效应管

电路中的耗能器件或装置有电流流动时，会 不断消耗能量，电路中必须有提供能量的器件或 装置—电源。 常用的直流电源有干电池、蓄电池、直流发电 机、直流稳压电源和直流稳流电源等。 常用的交流电源有电力系统提供的正弦交流电 源、交流稳压电源和产生多种波形的各种信号发生 器等

目前，数字技术已渗透到科研、生产和人们日常生活的各个领域。从计算机到家用电 器，从手机到数字电话，以及绝大部分新研制的医用设备、军用设备等，无不尽可能地采 用了数字技术。 数字系统是对数字信息进行存储、传输、处理的电子系统。 通常把门电路、触发器等称为逻辑器件，将由逻辑器件构成，能执行某单一功能的 电路，如计数器、译码器、加法器等，称为逻辑功能部件，把由逻辑功能部件组成的能实 现复杂功能的数字电路称数字系统

2.1 PLD的基本结构和表示方法 2.2 PLD的分类 2.3 GAL器件的结构及特点 2.4 CPLD的结构及特点 2.5 FPGA的结构特点