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研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象.6种材料都表现出优异的氧化抗力,原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料).复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO2(α-石英),下层为Mo5Si3,复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi2的作用,SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化,正是这种硅的选择性氧化在MoSi2的表面自发形成一层致密的SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期氧化抗力
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以Na2MoO4·2H2O、NiSO4·6H2O和MnO2为原料, 采用水热法成功制备了类松果状NiMoO4/MnO2复合材料.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、恒电流充放电、循环伏安和交流阻抗对材料进行表征.结果表明, MnO2的最佳质量分数为10%, 所得NiMoO4/MnO2复合材料具有类松果状形貌, 其颗粒直径为200~600 nm, 且表面粗糙、多孔; 在1 A·g-1的电流密度下, MnO2质量分数为0、5%、10%、15%、20%时, 所得复合材料NM0、NM5、NM10、NM15和NM20的放电比电容分别为260、248、650、420和305 F·g-1.在电流密度为10 A·g-1下, 最佳样品NM10复合材料的首次放电比容量为102 F·g-1, 经过100次循环后, 其放电比电容稳定在147 F·g-1.该性能的提高, 主要是由于MnO2的引入弥补了NiMoO4单一材料存在的不足, 从而达到协同增效的作用
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解:a=2zx105mwds→f=10H=100k a2=57×10°ndls→f2=2.5×10H=250k 幂多项式最高次数n=3 50kH=f2-2f 150k=f2-f 350=f1+f2 400k=2f2-f750k=3f2以上均符合要求
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#include #define Pl 3. 14159 void maino float r, h,v printf(“输入圆柱体的底面半径和高:”)
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80C51指令系统专用于80C51系列单片微机,是一个具有 255种操作码(00H至FFH,除A5H外)的集合。 用汇编语言表达操作代码时,只要熟记42种助记符。42种 助记符代表了33种功能,因为有的功能如数据传送,可以有几种 助记符,如MO、MOC、MOX。而指令功能助记符与操作 数各种寻址方式的结合,共构造出111种指令,同一种指令所对 应的操作码可以多至8种(如指令中Rn对应寄存器R-R7)
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透辉石作为矽卡岩型尾矿中的重要组成部分,研究其火山灰反应活性对于该类型尾矿的综合利用具有重要意义,但是目前还未见到相关报道.以透辉石、天然石膏和氢氧化钙为原料制备净浆试块,研究了磨细透辉石的火山灰反应活性,并利用X射线衍射、扫描电镜、傅里叶红外光谱、差示扫描量热法和核磁共振对净浆试块的水化产物进行分析,为初步判断矽卡岩型尾矿是否具有火山灰反应活性提供重要依据.结果表明,磨细的透辉石净浆试块抗压强度在3、7和28 d龄期时分别为9.83、12.79和18.87 MPa,显示出磨细的透辉石具有火山灰反应活性.磨细透辉石的水化产物以C-S-H凝胶为主.核磁共振结果显示,随着水化反应的不断加深,处于Q2结构状态的硅原子比例有所减少,生成的C-S-H凝胶的铝/硅比低于原始结构的透辉石.随着养护龄期的增加,仅有少量石膏参与反应,Ca(OH)2会被大量消耗,水化产物逐渐增多.未参与反应的石膏颗粒起到填充作用,也有助于促进体系强度的持续增长
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一、概述 1、糖的含义:糖(saccharides)是多羟基醛或多羟基 ~ 酮及其衍生物、聚合物的总称。糖的分子中含有碳、氢、 氧三种元素,大多数糖分子中氢和氧的比例是2:1,因此 ,具有C(H2O)的通式,所以,糖又称为碳水化合物 ( carbohydrates),但有的糖分子组成并不符合这个通式 ,如鼠李糖(rhamnose)为C6H125
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02-01-05一级考试选择题(H) 1、我们通常所使用的微型计算机是属于() A)模拟计算机B)特殊计算机C)数字计算机D)混合计算机 2、既能向主机输入数据又能接收由主机输出数据的设备是() A)CD-ROMB)显示器C)调制解调器D)鼠标 3、()是用于提高内存储器的访问效率的高速缓冲存储器。 A) RAM B) ROM C) CACHE D)ALU
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基于前驱体合成与氨气氮化两步法,通过对前驱体合成关键参数B源/N源比、分散剂种类、前驱体干燥方式进行调控,实现了大比表面积、少层氮化硼纳米片材料的制备。其优化条件为以硼酸为硼源,尿素为氮源,硼酸与尿素摩尔比为1∶30,甲醇和去离子水作为分散剂,利用真空冷冻干燥方式合成前驱体。将前驱体在氨气气氛下900 ℃保温3 h合成了氮化硼纳米片。利用X射线衍射测试、X射线光电子能谱测试、拉曼光谱测试、热重分析测试等对合成产物进行了物相和结构表征,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、氮气吸脱附曲线等对合成产物进行了形貌及比表面积表征。结果表明:合成的氮化硼为六方氮化硼纳米片(h-BNNSs),纯度高,形貌类石墨烯,层数为2~4层,厚度平均为1 nm,比表面积为871.8 m2·g?1,单次产物质量平均可达240 mg,合成产物平均产率可达96.7%。该方法简单易操作,实现了大比表面积少层氮化硼的制备,有助于氮化硼在各应用领域的研究,如氮化硼/石墨烯复合材料、纳米电子器件、污染物的吸附、储氢等
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一、填空(共15分) 1.细菌一般进行a繁殖,即b。酵母的繁殖方式分为有性和无性两类,无性繁殖又可 分为c,d两种形式,有性繁殖时形成e;霉菌在有性繁殖中产生的有性孢子种类 有f,g,h;在无性繁殖中产生的无性孢子种类有i,j,k:放线菌以1 方式繁殖,主要形成m,也可以通过n繁殖。 2.一摩尔葡萄糖通过EMP途径和TCA循环彻底氧化,在原核微生物中产生a摩尔 ATP,在真核微生物中产生b摩尔ATP,这是因为在真核微生物中,不能通过 线粒体膜,只能借助于d将EMP途径产生的磷酸二羟丙酮还原成e,后者可进入 线粒体,将氢转移给f,形成g,自身又回复到磷酸二羟丙酮。这一过程称为“穿 梭”,每次穿梭实际损失h个ATP
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