一、复习提问 1.描述任务二并画出其硬件电路。 2. MCS-51的有哪些数据传送类指令？ 二、新授 由上节课任务二控制彩灯数据有的直接在指令中提供了，但如何在片内传送？

在核工程和核技术领城内所涉及到的电离辐射通常是指正负 电子、质子、c粒子、中子、Y射线,有时把X射线也包括在内 而且这些辎射的能量是在几kev到十几MeV的范围内。随着核科 学的不断发展,核技术的应用范围也在不断扩大,在有些资料中 讲述电离辐射与物质相互作用时也涉及到重离子和裂变碎片

2.0 数据通道概述 2.1 数据采集系统的组成结构 2.2 信号调理 2.2.1 传感器的选用 2.2.2 运用前置放大器的依据 2.2.3 信号调理通道中的常用放大器 2.2.4 V/I和I/V转换电路

法拉第(Michael Faraday, 1791-1867),伟大的英国物理学 家和化学家他创造性地提出场的 思想,磁场这一名称是法拉第最 早引入的他是电磁理论的创始人 之一,于1831年发现电磁感应现 象,后又相继发现电解定律,物 质的抗磁性和顺磁性,以及光的 偏振面在磁场中的旋转

在许多工程技术领域(如电磁场理论、量子力学、固体物理、材 料物理、流体力学等)经常遇到复变量的函数.复变函数理论研究复 变量之间的对应关系,它是实变函数理论在复数域中的推广,因此两 者之间有许多相近之处,这有助于我们学习比较,但在学习中更要注 意它们之间的不同之处.本章主要讨论复变函数的一些基本概念

恒参信道的信道特性不随时间变化或变化很缓慢。由架空明线、电缆、中长 波地波传播、超短波及微波视距传播、人造卫星中继、光导纤维以及光波视距传 播等传输媒质构成的广义信道都属于恒参信道

 1 理想介质中的均匀平面波  2 平面波的极化  3 有耗媒质中的均匀平面波  4 均匀平面波对平面分界面的垂直入射  5 均匀平面波对理想导体表面的斜入射  6 均匀平面波对理想介质表面的斜入射

用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

一、相对论产生的历史背景 19世纪末电磁学有了很大发展,1865年麦克斯韦(Maxwell)总结出电磁场方 程组,预言了电磁波的存在,并指出电磁波在真空中的速率各个方向均为c; 1888年赫兹(Hertz)在实验上证实了电磁波的存在。这显然和伽利略变换矛盾, 按伽利略变换,光速在一个参考系中若是c在另一参考系中必不是c 提出问题: