假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态dZ个，则定义状态密度g（E）为：

1.半导体的导电特性 (1)掺杂特性。 (2)热敏和光敏特性

5.1 半导体光源的物理基础 5.2 半导体光源的工作原理 5.3 光源的工作特性 5.4 光 发 送 机 5.5 驱动电路和辅助电路

一、半导体器件概述(总的要求:掌握) 1半导体材料的导电特性及导电机制

一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

一、p-n结的形成和种类 1．合金法 2．扩散法

一、根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为： 二、浅能级杂质→能级接近导带底 Ec 或价带顶 Ev； 三、深能级杂质→能级远离导带底 Ec 或价带顶 Ev

区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料， 高纯金属的重要方法

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

1、阻挡层与反阻挡层的形成 2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性