第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

集成电路:它是用一定的生产工艺把晶体管、场效 应管、二极管、电阻、电容、以及它 们之间的连线所组成的整个电路集成 在一块半导体基片上,封装在一个管 壳内,构成一个完整的、具有一定功 能的器件,也称为固体器件

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

《DSP 器件与应用》课程教学大纲 《EDA 技术》课程教学大纲 《PLC 原理与应用》课程教学大纲 《VC 程序设计》课程教学大纲 《MATLAB 基础》课程教学大纲 《半导体器件及应用》课程教学大纲 《测控电路》课程教学大纲 《传感器与检测技术》课程教学大纲 《大学生心理健康教育》课程教学大纲 《大学生职业发展与就业指导》课程教学大纲 《大学物理 A》课程教学大纲 《单片机原理与应用》课程教学大纲 《电磁场与电磁波》课程教学大纲 《电机及拖动基础》课程教学大纲 《电力电子技术》课程教学大纲 《电路分析》课程教学大纲 《电气控制技术》课程教学大纲 《电视原理与技术》课程教学大纲 《电子测量技术》课程教学大纲 《高频电子线路》课程教学大纲 《机械制图》课程教学大纲 《控制电机》课程教学大纲 《模拟电子技术基础》课程教学大纲 《数字电子技术基础》课程教学大纲 《数字系统设计与 Verilog HDL》课程教学大纲 《数字信号处理》课程教学大纲 《通信原理》课程教学大纲 《微机原理与接口技术》课程教学大纲 《信号与系统》课程教学大纲 《自动控制原理》课程教学大纲 《LabVIEW 虚拟仪器》课程教学大纲 《电磁兼容基础》课程教学大纲 《高速 PCB 设计》课程教学大纲 《光电检测技术》课程教学大纲 《光电子技术》课程教学大纲 《集成电路概论》课程教学大纲 《科技写作基础》课程教学大纲 《模式识别》课程教学大纲 《嵌入式系统设计》课程教学大纲 《软件无线电基础》课程教学大纲 《视频监控系统》课程教学大纲 《数值分析》课程教学大纲 《数字图像处理》课程教学大纲 《随机信号分析》课程教学大纲 《微波技术基础》课程教学大纲 《信息论基础》课程教学大纲 《语音信号处理》课程教学大纲 《专业英语》课程教学大纲 《专业见习》教学大纲 《专业实习》教学大纲 《毕业设计》教学大纲 《金工实习》教学大纲 《电子技术工艺》教学大纲 《数字电子技术课程设计》教学大纲 《模拟电子技术课程设计》教学大纲

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

目 录 第一章 数字电路基础知识 1.1 数字信号与模拟信号 1.2 数制 1.3 码制 1.4 算数运算与逻辑运算 1.5 数字电路的学习指导 第二章 逻辑函数及其简化 2.1 逻辑代数 2.2 逻辑函数的简化 第三章 集成逻辑门 3.1 晶体管的开关特性 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 CMOS集成逻辑门电路 第四章 组合逻辑电路 4.1 组合逻辑电路的分析 4.2 组合逻辑电路的设计 4.3 组合逻辑电路的竞争- 冒险现象 目 录 第五章 触发器 5.1 基本RS触发器 5.2 RS触发器 5.3 JK触发器 5.4 D触发器 5.5 T触发器和T`触发器 5.6 各种触发器功能的比较和电路结构 5.7 触发器的应用 第六章 时序逻辑电路 6.1 时序逻辑电路分析 6.2 时序逻辑电路设计 第七章 数字电路的制图与读图 7.1 数字电路的制图 7.2 数字电络的读图 第八章 半导体存储器 8.1 概述 8.2 顺序存取存储器 8.3 随即存取存储器 8.4 只读存储器 8.5 存储器的应用举例 第九章 可变器件及电子设计自动化软件 9.1 可编程器件 9.2 可编程器件的编程工具及编程模式 第十章 脉冲单元电路 10.1 脉冲信号 10.2 标准集成电路构成的脉冲单元电路 10.3 555定时器及应用 第十一章 数/模转换器和模/数转换器 11.1 数/模与模/数转换器概述 11.2 数/模转换器 11.3 模/数转换器 11.4 集成数/模和模/数转换器件及其应用

教学目的、要求： 1.掌握集成电路运算放大器中的电流源 2.掌握差分式放大电路参数计算 3.了解集成电路运算放大器工作原理 4.了解集成电路运算放大器的主要参数的应用 5.了解专用型集成电路运算放大器的特点 6.了解放大电路中的噪声与干扰的机理 章节内容： 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.2 差分式放大电路

6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.4.1 CMOS MC14573集成电路运算放大器 6.4.2 BJTLM741集成运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.5.1 实际集成运放的主要参数 6.5.2 集成运放应用中的实际问题 6.6 变跨导式模拟乘法器 6.7 放大器中的噪声和干扰 6.7.1 放大电路中的噪声 6.7.2 放大电路中的干扰