一、我国材料的历史进程 Historical perspective) 二、漫长而又曲折的历程:

《材料科学基础》第四章 固体中原子及分子的运动——表象理论（Phenomenological laws）

(for one dimensional diffusion only 1. Infinite system 1. Formula

Chapter 1 Atomic Structure and Bonding 1.1 Atomic structure Atomic numbers and atomic masses 1. Atomic Models

《电工与电子技术》课程教学大纲. 1 《专业英语》课程教学大纲.5 《材料力学》课程教学大纲.11 《工程伦理学》课程教学大纲. 17 《普通化学》课程教学大纲. 28 《有机化学》课程教学大纲. 35 《物理化学》课程教学大纲. 44 《材料物理》课程教学大纲. 58 《高分子化学与物理》课程教学大纲. 73 《新能源技术概论》课程教学大纲. 82 《材料科学基础》课程教学大纲. 92 《电化学基础》课程教学大纲. 97 《燃料电池材料与器件》课程教学大纲. 103 《材料研究与测试方法》课程教学大纲. 112 《锂离子电池原理》课程教学大纲. 120 《储能材料与器件》课程教学大纲. 127 《催化化学》课程教学大纲. 134 《氢能开发利用技术》课程教学大纲. 149 《燃料电池技术》课程教学大纲. 157 《功能陶瓷材料与器件》课程教学大纲. 162 《太阳能材料与器件》课程教学大纲. 171 《光电功能材料》课程教学大纲. 176 《薄膜技术与材料》课程教学大纲. 180 《生物质复合材料》课程教学大纲. 185 《碳基储能材料》课程教学大纲. 197 《物理化学选论》课程教学大纲. 203 《生物质能源转化与利用》课程教学大纲. 209 《碳达峰与碳中和》课程教学大纲. 217 《机械设计基础》课程教学大纲 225

2.1 要点扫描 2.1.1 点缺陷及其平衡浓度 2.1.2 位错的基本类型及柏氏矢量 2.1.3 位错的应力场 2.1.4 位错的弹性能和线张力 2.1.5 作用在位错上的力和 Peach-Koehler 公式 2.1.6 位错间的交互作用 2.1.7 位错的起动力——Peirls-Nabarro 力 2.1.8 FCC 晶体中的位错 2.1.9 位错反应 2.1.10 HCP、BCC 及其他晶体中的位错 2.1.11 晶体中的界面与表面 2.1.12 位错的观察及位错理论的应用 2.2 难点释疑 2.2.1 柏氏矢量的守恒性 2.3 解题示范 2.4 习题训练

Introduction 1. Definition: Fis a fictitious force which is supposed to be responsible for the motion of dislocation. Fll Criterion: The work done on crystal by stress must be equal to that done on dislocation by force F. 2. Principle of derivation of F: Macroscopic work=microscopic work (or deformation work)

2.7 Some Important Crystallographic Formulas 1. Zone and zone equation All Planes parellel to common axis [uvw] constitute a (crystal) zone, the [u v w] zone. If (h k l) belongs to zone [u v w], then hukv+=0 2.ifhuk+hw=0,then[uvw] lies in(hk) 3. For cubic crystals, [h (h k)

一、物质的组成(Substance Construction) 物质由无数微粒(Particles)聚集而成 分子(Molecule):单独存在保存物质化学特性 d20=0.2nmm(2)为2M(protein)为百万 原子(Atom):化学变化中最小微粒

4.9 Comparison Between Slip and Twinning Similar ity Both slip and twinning are shear process under shear stress T I. Differences 1. Orientation 2. Atom movement 3.y,△ a) Structure: Twinning is easy 4. Conditions b) Temperature da d c) Strain rate (c