❖ 了解根轨迹的基本特性和相关概念 ❖ 了解根轨迹的类型划分，熟练掌握根轨迹的分类原则 ❖ 掌握根轨迹的绘制法则，并能够熟练地应用到根轨迹的绘制过程中 ❖ 学会应用主导极点、偶极子等概念近似分析系统的性能 ❖ 了解根轨迹形状与系统性能指标之间的关系 ◼ 根轨迹的基本概念 ◼ 根轨迹的绘制法则 ◼ 用根轨迹法分析系统的暂态特性 ◼ 小结

4.1 恒定磁场的实验定律与磁感应强度 4.2 恒定磁场的基本方程 4.3 矢量磁位 4.4 磁偶极子 4.5 磁介质中的安培环路定律 4.6 恒定磁场的边界条件 4.7 电感 4.8 磁场能量和能量密度

7 . 1 赫兹和赫兹实验 7 . 2 振荡偶极子的辐射 7 . 3 天线的电参量 7 . 4 线形天线 7 . 5 面形天线 7．6 天线阵 7 . 7 电磁波辐射的应用

一利用主导极点估算系统的性能指标 表5-4(93) 二增加开环零、极点对根轨迹的影响. 表5-5(p94) 结论:1增加开环零点后根轨迹将向零点方向弯曲若选择适当可与极点 构成偶极子抵消有损于系统稳定性的极点 2增加开环极点后根轨迹向右弯曲不利于系统的稳定性和动态性 能

采用Maker条纹测试方法,首次在电场-温度场极化GeS2-Ga2S3-PbI2准三元体系硫卤玻璃中观察到了明显的二次谐波发生(SHG).对于70GeS2·15Ga2S3·15PbI2组分玻璃,详细研究不同极化电压、极化温度和极化时间对二次谐波(SH)强度的影响,发现当极化温度高于190℃,电压高于4.0kV时,可以观察到SHG并且SH强度随极化电压与时间的升高而增大直至饱和.在6kV极化40min的条件下,SH强度随极化温度的升高先增大后减小.在6kV、250℃、40min的最佳极化条件下,70GeS2·15Ga2S3·15PbI2玻璃的二阶非线性极化率χ(2)达到最大值4pm·V-1.根据偶极子取向模型,讨论了二次谐波效应的机理是该硫卤玻璃中偶极子在高温条件下摆脱网络束缚沿外加电场方向取向调整,从而破坏了玻璃的宏观各向同性所致,并定性解释了极化条件对玻璃二阶光学非线性效应的影响