9.1粗金属火法精炼的目的、方法及分类 由矿石经熔炼制取的金属常含有杂质,当杂质超过允许含量时,金属对空气或化学 药品的耐蚀性、机械性以及导电性等有所降低,为了满足上述性质的要求,通常需要用 一种或几种精炼方法处理粗金属,以便得到尽可能纯的金属。有些精炼是为了提取金属 中无害的杂质,因它们有使用价值,如从铅中回收银

9.1粗金属火法精炼的目的、方法及分类 由矿石经熔炼制取的金属常含有杂质,当杂质超过允许含量时,金属对空气或化学 药品的耐蚀性、机械性以及导电性等有所降低为了满足上述性质的要求,通常需要用 一种或几种精炼方法处理粗金属,以便得到尽可能纯的金属。有些精炼是为了提取金属 中无害的杂质,因它们有使用价值,如从铅中回收银

第一章 高分子化学实验 实验一 聚苯胺的制备和导电性的观察.5 实验二 超高吸水性丙烯酸树脂的制备.8 实验三 对苯二甲酰氯与己二胺的界面缩聚. 11 实验四 聚丁二酸丁二醇酯的合成及性能表征.13 第二章 高分子物理、材料物理实验 实验五 粘度法测定热塑性聚合物的分子量.15 实验六 熔点法测定热塑性结晶聚合物的熔融温度. 20 实验七 凝胶色谱法测定聚合物分子量及分子量分布.25 实验八 高分子材料拉伸强度测定.29 实验九 高分子材料压缩强度测定.33 实验十 高分子材料静弯曲强度的测定. 36 实验十一 高分子材料抗冲击性能测定. 38

第一章 高分子化学实验 实验一 聚苯胺的制备和导电性的观察.5 实验二 超高吸水性丙烯酸树脂的制备.8 实验三 对苯二甲酰氯与己二胺的界面缩聚. 11 实验四 聚丁二酸丁二醇酯的合成及性能表征.13 第二章 高分子物理、材料物理实验 实验五 粘度法测定热塑性聚合物的分子量.15 实验六 熔点法测定热塑性结晶聚合物的熔融温度. 20 实验七 凝胶色谱法测定聚合物分子量及分子量分布.25 实验八 高分子材料拉伸强度测定.29 实验九 高分子材料压缩强度测定.33 实验十 高分子材料静弯曲强度的测定. 36 实验十一 高分子材料抗冲击性能测定. 38

1911年,荷兰莱顿大学的卡茂林昂尼斯意外地发现,将汞冷却到-268.98℃时,汞的 电阻突然消失;后来他又发现许多金属和合金都具有与上述汞相类似的低温下失去电阻的 特性,由于它的特殊导电性能,卡茂林昂尼斯称之为超导态.卡茂林由于他的这一发现获 得了1913年诺贝尔奖. 1933年,荷兰的迈斯纳和奥森菲尔德共同发现了超导体的另一个极为重要的性质,当 金属处在超导状态时,这时超导体内的磁感应强度为零,在对单晶锡球进行实验发现:锡 球过渡到超导态时,锡球周围的磁场突然发生变化,磁力线似乎一下子被排斥到超导体之 外去了,人们将这种现象称之为“迈斯纳效应” 为了寻找更适于应用的超导材料,几十年来,物理学家广泛搜查各种元素的低温特 性.除了汞、锡和铅以外,又发现铟

通过冻干-煅烧合成了一氧化锰/石墨烯（MnO/rGO）复合材料，并将其用作锂离子电池负极材料.在500 mA·g-1的电流密度下，MnO/rGO复合材料表现出高达830 mAh·g-1的可逆容量，且在充放电循环160圈后，其可逆容量依然高达805 mAh·g-1.倍率测试结果显示，循环225圈后，在2.0 A·g-1的电流密度下，其可逆容量高达412 mAh·g-1.复合材料中的石墨烯在提高材料导电性的同时有效地缓解了一氧化锰充放电过程中的体积膨胀.通过对比容量-电压的微分分析，发现复合材料超出一氧化锰理论容量的部分是由形成了更高价态的锰引起的.MnO/rGO复合材料比纯一氧化锰（p-MnO）更容易出现高价态的锰，可能是因为rGO上残留的氧为电极反应提供了额外所需的氧源.该一氧化锰/石墨烯复合材料因其简单绿色的合成过程及优异的电化学性质，有望在未来的锂电负极中得到广泛的实际应用

采用标准固相反应法制备了Sr14(Cu1-xZnx)24O41（x=0,0.01,0.02,0.03）系列多晶样品.X射线衍射谱表明所有样品均呈单相,且样品晶格常数大小随Zn掺杂量x的变化存在微弱波动.X射线光电子能谱表明Sr14Cu24O41中Cu离子以+2价形式存在,Zn掺杂对体系中Cu离子化合价不造成影响.磁化率测量结果表明在10-300 K温度范围内Zn掺杂使体系磁化率降低,拟合结果表明随着Zn掺杂量x的增大,居里-外斯项对体系磁化率贡献逐渐减弱,二聚体耦合能JD逐渐降低,每个分子中CuO2自旋链内二聚体个数ND与自由Cu2+离子自旋数NF均逐渐减少,进一步分析显示替换二聚体内Cu2+离子的Zn2+离子数少于替换自由Cu2+离子的Zn2+离子数.电阻率测量结果表明Sr14Cu24O41体系具有半导体特性,并且Zn掺杂会使体系电阻率降低,降低程度随掺杂量x增大而增大,但并未使体系发生金属-绝缘体转变.认为电阻率降低可能是由于Zn2+离子掺杂使体系内CuO2自旋链中二聚体发生退耦,破坏了电荷有序超结构,从而使更多的空穴释放出来并转移到导电性好的Cu2O3自旋梯子中所致