第七章陶瓷的烧结原理及工艺 第一节陶瓷的烧结理论 第二节陶瓷的烧结方法 第三节陶瓷烧结后的处理

第七章典型的陶瓷材料 第一节结构陶瓷 第二节功能陶瓷 第三节陶瓷耐火材料 第四节玻璃

通过喷雾造粒方法对共沉淀合成的纳米粉体进行改性,制备出球形的纳米颗粒.用XRD对粉体进行物相分析;用TEM观察了改性前粉体的颗粒形状、尺寸大小和团聚情况;用SEM观察改性前后粉体的团聚体的颗粒形状、尺寸大小与分散性,以及陶瓷热腐蚀抛光后的表面形貌.结果表明:PVB添加质量分数1.0%为最优添加量;改性后粉体所制素坯的密度显著提高,从而影响陶瓷的致密度和晶界形貌;经真空烧结制备出相对密度达99.95%的无孔净晶界YAG透明陶瓷,陶瓷晶粒的平均尺寸为10μm左右,尺寸分布较均匀,晶界清晰,晶粒中与晶界处较干净,无杂质与气孔的存在

本文介绍了首次制成Caβ″—Al2O3陶瓷管的方法—粉末注模浇注法的工艺流程以及介质、粉末粒度、温度等因素对陶瓷管质量的影响。同时给出了陶瓷管的密度,利用伽伐电池测得的电化学性能以及用电化学方法测得的CaO在此电解质中的活度,为Caβ″-Al2O3陶瓷管的实际应用提供了基本数据

本文介绍了热膨胀示差法测量金属与陶瓷的封接应力的装置,参考陶瓷电子管的制管工艺要求,用这种设备测定了两种Fe-Ni-Co膨胀合金<牌号4J29、4J33>、无氧铜等与95%Al2O3陶瓷制成的封接件,在室温800℃之间瓷件应变量随温度的变化曲线,实验表明,对具有“因瓦反常”效应的4J29、4J33合金,室温封接应力不是决定于在焊接温度时两种材料的膨胀差,而是决定于在合金居里温度<约400℃>的膨胀差值,在此温度,合金的平均线膨胀系数越低于陶瓷,室温封接应力越低,这一结果和用电阻应变仪法测量的相一致,封接过程中的应力松弛作用表明了产生这种现象的原因。实验还表明,在高温下的焊料变形和无氧铜的塑性变形均对封接应力有显著影响

通过抗弯强度测试研究了LiF和CaF2对陶瓷结合剂性能的影响.结果表明在Al-Si-O系陶瓷结合剂中,CaF2的析晶现象明显大于LiF.以LiF为助溶剂的陶瓷结合剂比用CaF2为助溶剂的陶瓷结合剂熔点低、粘接强度大.当以LiF为助熔剂时,可以用摩尔数比值（Al2O3+B2O3）/（R2O+RO+0.5LiF）判断陶瓷结合剂自身的强度

通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

利用反应烧结的方法,通过甲烷碳化还原三种过渡金属氧化物(Cr2O3、TiO2和WO3)压坯,制备了其相应的多孔形态的碳化物(Cr3C2、TiC和WC)陶瓷.通过扫描电子显微镜观察检测,对反应烧结产物的表面和截面形貌进行了分析,并对这三种过渡金属碳化物的孔隙结构进行了初步的表征.通过物相分析研究了反应烧结的动力学过程,发现利用含体积分数10%甲烷的混合气体碳化还原制备多孔TiC和WC陶瓷的起始温度分别为1200℃和1000℃,低于这两个温度时发生其他相变,有其他中间产物生成.利用反应烧结的方法制备多孔Cr3C2陶瓷时,反应烧结温度越高,碳化铬陶瓷的骨架和孔隙平均尺寸越大

5.1 陶瓷的性质 5.2 陶瓷的加工 5.3 工程陶瓷材料 5.4 金属陶瓷 5.5 玻璃

一、化工陶瓷的种类及性能要求 化工陶瓷是化学工业中一种重要的非金属耐腐蚀材料。它不易氧化，具有优异 的耐腐蚀性能、良好的硬度与刚度和很高的耐压强度。在湿氯、盐水、盐酸和醋酸 等介质中，其耐腐蚀性、耐磨性、不污染介质等性能相当优越。广泛应用于石油化 工、化肥、制药、食品、造纸、冶炼、化纤和电镀等工业中