1.在碱性溶液中用HCHO还原 HAuCl44以制备金溶胶反应可表示为 HAuCl4+5naoh---> NaAuO2+4nal+32O 2NaAuO2 +3HCHO +NaOH---> 2Au+3HCOONa+2H2O 此处 NaAuO2是稳定剂试写出胶团结构式

一、例题精解 【例题2.1】在图2.2所示方框图中,N是一线性无源网络。当U1=1V,2=1A时,U3=0V:当U1=10V,2=0A时,U3=1V.试求当U1=0V,I2=10A时,U3=? 【解】应用叠加原理计算,则U3=U3+U3。其中3=AU是U1单独作用时的分量,U3=B2是l2单独作用时的分量,即

一、 Definition:具有部分充填d或f壳层电子的元素。它包括第四、五、六周期从B 到Ⅷ族的元素,共有8个直列,这些元素都是金属元素,也称为过渡金属。人们也常 将铜分族看作过渡元素,这是由于Cu2+具有3d°,Au3具有5d,且性质也与过渡元素 十分相似的缘故

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

第1章绪言 一、是否题 1.孤立体系的热力学能和熵都是一定值。(错△U=0,H=0,但△S,△G和 △A不一定等于0,如一体积等于2V的绝热刚性容器,被一理想的隔板一分为二,左 侧状态是T,P的理想气体,右侧是T温度的真空。当隔板抽去后,由于Q=W=0, △U=0,AT=0,H=0,故体系将在T,2V,0.5P状态下达到平衡, AS=-RIn(0.5P/P)=RIn2,= AH -TAS=RTIn 2, 44=AU-TAS=-RT In2) 2.封闭体系的体积为一常数。(错)

摘要概述了金、银、铂、钯回收提纯的有关化学反应原理,拟定了从铂钯精矿中回收金、银、铂、钯的工艺流程,采用硫酸化焙烧,酸浸除 贱金属,富集贵金属,再氯化分别提取贵金属,获得了满意的生产指标,金属回收率分别为:Au98.1%,Ag97.2%,Pt93.0%,Pd95.6%。 词铂钯精矿贵金属工艺选择

本文利用已知化合物的生成热,推导出了一个在含有化合物的二元体系,由相图计算活度的新公式:\\[{\\rm{dln}}{{\\rm{\\gamma}}_{\\rm{A}}}{\\rm{=-}}\\frac{{{\\rm{\\Delta}}{{\\rm{H}}_{\\rm{f}}}^{\\rm{0}}{{\\rm{N}}_{\\rm{B}}}}}{{{\\rm{R}}{{\\rm{T}}^{\\rm{2}}}{\\rm{(x}}{{\\rm{N}}_{\\rm{B}}}{\\rm{-y}}{{\\rm{N}}_{\\rm{A}}}{\\rm{)}}}}{\\rm{dT-dln}}{{\\rm{N}}_{\\rm{A}}}\\;\\;\\;\\;\\;\\;\\;\\;(1)\\]式中:ΔHf0为化合物的标准生成热;x,y分别为化合物的化学计量系数;NA、NB分别为组元A、B的摩尔分数;γA、γB分别为组元A、B在液相线温度时的活度系数。对已知活度值的Au—Bi二元体系,用文献[3]中公式及我们的公式进行了计算,其计算数值与实验数值符合较好,证实了用本公计算含有化合物的二元体系的活度是可行的。我们用本公式计算了Al—La二元体系的活度,对预报的结果进行了初步分析