第8章MS-51串行口 8.1串口通讯的基本方式 8.2串口控制 8.3串行接口的工作方式 8.4串口的应用

第四章方差分析 第一节方差分析的基本思想及其应用条件 1.方差分析的基本思想 根据试验的设计类型,将全部观察值的总离 均差平方和及其自由度分解为两个或多个部分, 每个部分的变异可由某个因素作用或几个因素的交互作用以及随机误差的作用加以解释。分析时分别求得各部分变异度指标SS(离均差平方和),结 合自由度计算MS(均方),最终求得F值。根据 F值的大小和理论F值作比较,便可判断研究因素对试验结果有无影响

VDRMI VARM =10ms 1/2 sine. Vosu V asM =VDRM+ 100V respectively. Lower voltage grades available. ORDERING INFORMATION When ordering select the required part number shown in the Voltage Ratings selection table r ex For example:

1质量m=10kg的质点受力F=30+40t 的作用,且力方向不变.t=0s时从v=10ms-1 开始作直线运动(v方向与力向相同),求: (1)0~2s内,力的冲量I;(2)t=2s时质点的速 率v2.(式中力的单位为N,时间单位为s.) 解(1)1-F(dt=30+40dt=140Ns

第3章MCS-51单片机指令系统 3.1Ms-51指令系统概述 3.2寻址方式 3.3分类指令 MCS-51单片机指令系统有如下特点: (1)指令执行时间快。 (2)指令短,约有一半的指令为单字节指令。 (3)用一条指令即可实现2个一字节的相乘或相除

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

7-7金属一绝缘体一半导体和MOS反型层 MS体系:金属一绝缘体一半导体 Metal Insulator Semiconductor MOS体系:金属一氧化物一半导体

3.1晶体管的开关特性 3.2TL集成逻辑门 3.3ECL集成逻辑门与I2L电路 3.4Ms逻辑门 3.5cmos电路

21-l 质谱仪 21-2质谱图及其应用

5.1 高聚物热解分析的特点 5.2 高聚物热裂解的一般模式 5.3 有机质谱 5.4 有机质谱谱图解析 5.5 裂解气相色谱分析 5.6 PGC-MS联用技术 5.7 热解分析在高分子材料研究中的应用