7.1 CMOS反相器的直流特性 7.2 反相器的开关特性 7.3 功耗 7.4 DC特性：与非门和或非门 7.5 与非门和或非门的暂态响应 7.6 复合逻辑门的分析 7.7 逻辑门过渡特性设计 7.8 传输门和传输管 7.9 关于SPICE模拟

4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则

3.1 集成电路工艺层 3.2 MOSFET 3.3 CMOS工艺层 3.4 FET阵列设计

2.1 理想开关 2.2 MOSFET开关 2.3 基本的CMOS逻辑门 2.4 CMOS复合逻辑门 2.5 传输门电路 2.6 时钟控制和数据流控制

Simplistic Model Physical Structure Threshold Voltage Long Channel Current Equations Regions of Operation Transconductance Channel Length Modulation CMOS Processing Technology MOS Layout Device Capacitances Device Capacitances Passive Devices Small Signal Models Circuit Impedance Equivalent Transconductance Short-Channel Effects Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) Effects of Velocity Saturation Hot Carrier Effects

(一)、CMOS反相器工作原理 CMOS电路的结构特点是: 一个N沟道管和一个P沟道管配 G 对使用,即N、P互补(Comp- T lementary)

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第15章软件系统的故障与维护 本章介绍了系统 BIOS SETUP设置错误造成的故障和处理方法,重点分析了DOS和WINDOWS系统的引导故障、系统维护和故障排除方法。 15.1Bios和 CMOS Setup程序的故障与维护 15.2MS-DS系统故障与维护 15.3ms- Windows9系统故障与维护

一、重要概念 二、BIOS(basic input/output system,基本输入 输出系统) 三、引导或自举(BOOT) 四、时钟(Clock) 五、CMOS(互补氧化物半导体) 六、CPU(central processing unit,中央处理单元

§2-1 概述 §2-2 二极管、三极管、MOS 管开关等效电路 §2-3 最简单的与、或、非门电路 §2-5 CMOS门电路 §2-4 TTL门电路